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電源模塊支持電壓范圍碳化硅MOSFET和IGBT的600V到1200V

發(fā)布時間:2021/9/14 12:33:30 訪問次數(shù):429

VPX3-TL 系列經(jīng)過SWaP優(yōu)化,包括高達 64GB的DDR4-2666 板載 ECC SDRAM內(nèi)存;2個10GBASE-KR 或 1GBASE-KX以太網(wǎng)絡(luò)。

1個PCIe x8 Gen3的XMC 擴展槽I/O至P2口;USB 3.0 和 SATA III(原 SATA 6Gb/s)等高傳輸量的接口。另外,可選配高達1TB容量的M.2固態(tài)硬盤SSD作為二級儲存。

該處理器刀片采用英特爾® RM590E 芯片組,具有統(tǒng)一可擴展固件接口(UEFI)的安全啟動和雙 256Mbit SPI 閃存,支持 Microsoft® Windows® 10、Linux® 和 VxWorks® 7等操作系統(tǒng)。

制造商: Renesas Electronics

產(chǎn)品種類: RS-422/RS-485 接口 IC

RoHS: 詳細信息

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: MSOP-10

系列: ISL83086E

功能: Transceiver

數(shù)據(jù)速率: 15 Mb/s

激勵器數(shù)量: 1 Driver

接收機數(shù)量: 1 Receiver

工作電源電壓: 5 V

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

封裝: Tube

商標: Renesas / Intersil

高度: 0.85 mm

長度: 3 mm

濕度敏感性: Yes

輸出類型: Differential

產(chǎn)品類型: RS-422/RS-485 Interface IC

工廠包裝數(shù)量: 980

子類別: Interface ICs

寬度: 3 mm

單位重量: 26 mg

Microchip強大的新模塊將有助于推動飛機電氣化的創(chuàng)新,并最終朝著更低排放的未來邁進。這是一項為開創(chuàng)飛行新時代的系統(tǒng)提供賦能的新技術(shù)。

BL1、BL2和BL3系列的封裝可提供100W到10 KW以上功率,有許多拓撲結(jié)構(gòu)供選擇,包括相位腳、全橋、不對稱橋、升壓、降壓和雙共源。

這些高可靠性電源模塊支持的電壓范圍從碳化硅MOSFET和IGBT的600V到1200V,直至整流二極管的1600V。


(素材來源:eepw和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

V3-TL 系列經(jīng)過SWaP優(yōu)化,包括高達 64GB的DDR4-2666 板載 ECC SDRAM內(nèi)存;2個10GBASE-KR 或 1GBASE-KX以太網(wǎng)絡(luò)。

1個PCIe x8 Gen3的XMC 擴展槽I/O至P2口;USB 3.0 和 SATA III(原 SATA 6Gb/s)等高傳輸量的接口。另外,可選配高達1TB容量的M.2固態(tài)硬盤SSD作為二級儲存。

該處理器刀片采用英特爾® RM590E 芯片組,具有統(tǒng)一可擴展固件接口(UEFI)的安全啟動和雙 256Mbit SPI 閃存,支持 Microsoft® Windows® 10、Linux® 和 VxWorks® 7等操作系統(tǒng)。

制造商: Renesas Electronics

產(chǎn)品種類: RS-422/RS-485 接口 IC

RoHS: 詳細信息

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: MSOP-10

系列: ISL83086E

功能: Transceiver

數(shù)據(jù)速率: 15 Mb/s

激勵器數(shù)量: 1 Driver

接收機數(shù)量: 1 Receiver

工作電源電壓: 5 V

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

封裝: Tube

商標: Renesas / Intersil

高度: 0.85 mm

長度: 3 mm

濕度敏感性: Yes

輸出類型: Differential

產(chǎn)品類型: RS-422/RS-485 Interface IC

工廠包裝數(shù)量: 980

子類別: Interface ICs

寬度: 3 mm

單位重量: 26 mg

Microchip強大的新模塊將有助于推動飛機電氣化的創(chuàng)新,并最終朝著更低排放的未來邁進。這是一項為開創(chuàng)飛行新時代的系統(tǒng)提供賦能的新技術(shù)。

BL1、BL2和BL3系列的封裝可提供100W到10 KW以上功率,有許多拓撲結(jié)構(gòu)供選擇,包括相位腳、全橋、不對稱橋、升壓、降壓和雙共源。

這些高可靠性電源模塊支持的電壓范圍從碳化硅MOSFET和IGBT的600V到1200V,直至整流二極管的1600V。


(素材來源:eepw和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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