浓毛老太交欧美老妇热爱乱,蜜臀性色av免费,妺妺窝人体色www看美女,久久久久久久久久久大尺度免费视频,麻豆人妻无码性色av专区

位置:51電子網(wǎng) » 技術資料 » 汽車電子

快速連接外設傳感器高效地處理各種指令和數(shù)據(jù)來奠定基礎

發(fā)布時間:2021/9/26 12:32:48 訪問次數(shù):103

高性能、多種擴展選項、以及豐富 I/O 的 DS-1300 工業(yè) PC 。其致力于快速連接外設傳感器,并通過數(shù)據(jù)集成和分析,為制造業(yè)向工業(yè) 4.0 遷移而提供邊緣計算支撐。

據(jù)悉,無論是定位、識別、分類、測量,還是生產(chǎn)數(shù)據(jù)的現(xiàn)場采集、以及生產(chǎn)過程中的各種集成,都需要不妥協(xié)的算力來奠定基礎。

而 Cincoze DS-1300 工業(yè) PC 的最大特點,就是支持英特爾第 10 代至強(Xeon)或酷睿(Core)處理器,最高可選 10 核心 / 80W 功耗。

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:1.2 A Rds On-漏源導通電阻:480 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 16 V, + 16 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V Qg-柵極電荷:670 pC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.25 W 通道模式:Enhancement 封裝:Reel 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 商標:Infineon / IR 配置:Single 下降時間:2.8 ns 正向跨導 - 最小值:1.6 S 高度:1.1 mm 長度:2.9 mm 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:3.8 ns 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 晶體管類型:1 N-Channel 典型關閉延遲時間:3.7 ns 典型接通延遲時間:4.9 ns 寬度:1.3 mm 零件號別名:IRLML2060TRPBF SP001578644 單位重量:8 mg

新型高溫直流濾波電力電子電容器路線圖的一個關鍵目標,是能夠耐受高達150°C的熱點溫度。

SABIC的ELCRES HTV150薄膜是目前滿足我們150°C高溫和高壓要求的唯一產(chǎn)品。我們很高興與SABIC開展合作,以驗證該產(chǎn)品的卓越性能。

與上一代相比,性能提升了 31%,能夠更快、更高效地處理各種指令和數(shù)據(jù)。

有需要的客戶,還可通過兩個 PCIe 擴展卡插槽來實現(xiàn)更多功能,比如加裝單槽 110W 的顯卡、視覺檢查用的圖像采集卡、用于驅(qū)動機械臂的運用控制卡等組件。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)

高性能、多種擴展選項、以及豐富 I/O 的 DS-1300 工業(yè) PC 。其致力于快速連接外設傳感器,并通過數(shù)據(jù)集成和分析,為制造業(yè)向工業(yè) 4.0 遷移而提供邊緣計算支撐。

據(jù)悉,無論是定位、識別、分類、測量,還是生產(chǎn)數(shù)據(jù)的現(xiàn)場采集、以及生產(chǎn)過程中的各種集成,都需要不妥協(xié)的算力來奠定基礎。

而 Cincoze DS-1300 工業(yè) PC 的最大特點,就是支持英特爾第 10 代至強(Xeon)或酷睿(Core)處理器,最高可選 10 核心 / 80W 功耗。

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:1.2 A Rds On-漏源導通電阻:480 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 16 V, + 16 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V Qg-柵極電荷:670 pC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.25 W 通道模式:Enhancement 封裝:Reel 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 商標:Infineon / IR 配置:Single 下降時間:2.8 ns 正向跨導 - 最小值:1.6 S 高度:1.1 mm 長度:2.9 mm 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:3.8 ns 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 晶體管類型:1 N-Channel 典型關閉延遲時間:3.7 ns 典型接通延遲時間:4.9 ns 寬度:1.3 mm 零件號別名:IRLML2060TRPBF SP001578644 單位重量:8 mg

新型高溫直流濾波電力電子電容器路線圖的一個關鍵目標,是能夠耐受高達150°C的熱點溫度。

SABIC的ELCRES HTV150薄膜是目前滿足我們150°C高溫和高壓要求的唯一產(chǎn)品。我們很高興與SABIC開展合作,以驗證該產(chǎn)品的卓越性能。

與上一代相比,性能提升了 31%,能夠更快、更高效地處理各種指令和數(shù)據(jù)。

有需要的客戶,還可通過兩個 PCIe 擴展卡插槽來實現(xiàn)更多功能,比如加裝單槽 110W 的顯卡、視覺檢查用的圖像采集卡、用于驅(qū)動機械臂的運用控制卡等組件。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)

熱門點擊

 

推薦技術資料

頻譜儀的解調(diào)功能
    現(xiàn)代頻譜儀在跟蹤源模式下也可以使用Maker和△Mak... [詳細]
版權所有:51dzw.COM
深圳服務熱線:13751165337  13692101218
粵ICP備09112631號-6(miitbeian.gov.cn)
公網(wǎng)安備44030402000607
深圳市碧威特網(wǎng)絡技術有限公司
付款方式


 復制成功!