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DLAPx86專為大型多層網(wǎng)絡(luò)以及復(fù)雜數(shù)據(jù)集設(shè)計(jì)

發(fā)布時間:2021/9/27 8:47:53 訪問次數(shù):199

DLAPx86專為大型多層網(wǎng)絡(luò)以及復(fù)雜數(shù)據(jù)集設(shè)計(jì)。

DLAP系列為深度學(xué)習(xí)應(yīng)用提供的靈活性是其核心價值所在;诓煌瑧(yīng)用的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)和AI推理速度需求,架構(gòu)師可組合出最適化的CPU與 GPU處理器配置,提高產(chǎn)生每單位投資的最高效能。

DLAPx86在邊緣AI應(yīng)用中在效能、體積、重量、功耗等設(shè)計(jì)取得最佳平衡,將每瓦效能、每單位投資效能極大化,助力醫(yī)療、制造業(yè)、交通運(yùn)輸和其他領(lǐng)域的發(fā)展。

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-247-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:900 V Id-連續(xù)漏極電流:15 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:550 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 30 V, + 30 V Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V Qg-柵極電荷:190 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:350 W 通道模式:Enhancement 封裝:Tube 商標(biāo):STMicroelectronics 配置:Single 下降時間:35 ns 高度:20.15 mm 長度:15.75 mm 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:27 ns 工廠包裝數(shù)量600 子類別:MOSFETs 晶體管類型:1 N-Channel 類型:MOSFET 典型關(guān)閉延遲時間:135 ns 典型接通延遲時間:42 ns 寬度:5.15 mm 單位重量:6 g

高度緊湊且支持GPU的全新DLAPx86系列深度學(xué)習(xí)加速平臺,是市場上最緊湊的GPU深入學(xué)習(xí)加速平臺。DLAPx86系列可用于部署邊緣處的大規(guī)模深度學(xué)習(xí),采集邊緣產(chǎn)生的數(shù)據(jù)并采取行動。

DLAPx86系列針對大規(guī)模邊緣AI布署所設(shè)計(jì),將深度學(xué)習(xí)帶進(jìn)終端,拉近與現(xiàn)場資料,現(xiàn)場決策應(yīng)變距離。

該平臺的優(yōu)化配置可加速需要大量內(nèi)存的計(jì)算密集型AI推理和任務(wù)學(xué)習(xí),助力各行業(yè)應(yīng)用的AI部署。

對AI運(yùn)算所設(shè)計(jì)的DLAPx86系列可處理大量繁復(fù)的AI推論和學(xué)習(xí)等工作負(fù)載,在效能、體積、重量、功耗等設(shè)計(jì)取得最佳平衡,極大化每瓦、每單位投資效能.


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

DLA86專為大型多層網(wǎng)絡(luò)以及復(fù)雜數(shù)據(jù)集設(shè)計(jì)。

DLAP系列為深度學(xué)習(xí)應(yīng)用提供的靈活性是其核心價值所在。基于不同應(yīng)用的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)和AI推理速度需求,架構(gòu)師可組合出最適化的CPU與 GPU處理器配置,提高產(chǎn)生每單位投資的最高效能。

DLA86在邊緣AI應(yīng)用中在效能、體積、重量、功耗等設(shè)計(jì)取得最佳平衡,將每瓦效能、每單位投資效能極大化,助力醫(yī)療、制造業(yè)、交通運(yùn)輸和其他領(lǐng)域的發(fā)展。

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-247-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:900 V Id-連續(xù)漏極電流:15 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:550 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 30 V, + 30 V Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V Qg-柵極電荷:190 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:350 W 通道模式:Enhancement 封裝:Tube 商標(biāo):STMicroelectronics 配置:Single 下降時間:35 ns 高度:20.15 mm 長度:15.75 mm 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:27 ns 工廠包裝數(shù)量600 子類別:MOSFETs 晶體管類型:1 N-Channel 類型:MOSFET 典型關(guān)閉延遲時間:135 ns 典型接通延遲時間:42 ns 寬度:5.15 mm 單位重量:6 g

高度緊湊且支持GPU的全新DLA86系列深度學(xué)習(xí)加速平臺,是市場上最緊湊的GPU深入學(xué)習(xí)加速平臺。DLA86系列可用于部署邊緣處的大規(guī)模深度學(xué)習(xí),采集邊緣產(chǎn)生的數(shù)據(jù)并采取行動。

DLA86系列針對大規(guī)模邊緣AI布署所設(shè)計(jì),將深度學(xué)習(xí)帶進(jìn)終端,拉近與現(xiàn)場資料,現(xiàn)場決策應(yīng)變距離。

該平臺的優(yōu)化配置可加速需要大量內(nèi)存的計(jì)算密集型AI推理和任務(wù)學(xué)習(xí),助力各行業(yè)應(yīng)用的AI部署。

對AI運(yùn)算所設(shè)計(jì)的DLA86系列可處理大量繁復(fù)的AI推論和學(xué)習(xí)等工作負(fù)載,在效能、體積、重量、功耗等設(shè)計(jì)取得最佳平衡,極大化每瓦、每單位投資效能.


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