SiT5008 溫度補(bǔ)償硅 MEMS 振蕩器（TCXO）。SiT5008 理想適用于互聯(lián)網(wǎng)連接音視頻、云上流媒體設(shè)備、工業(yè)智能計(jì)量表等互聯(lián)消費(fèi)者設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，以及其他使用低功耗無(wú)線連接的設(shè)備。

類似于其他的 SiTime 解決方案，SiT5008 采用小封裝提供可編程特性、高可靠性和抗環(huán)境變數(shù)能力。

SiT5008 的開(kāi)發(fā)是我們快速產(chǎn)品發(fā)布策略的一個(gè)很好的例子。我們從單個(gè)基礎(chǔ)平臺(tái)開(kāi)發(fā)出多達(dá) 15 種衍生產(chǎn)品并迅速地將它們推向市場(chǎng)。

每種衍生產(chǎn)品都為客戶提供了定制特性并幫助他們解決獨(dú)特的時(shí)序問(wèn)題。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 100 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3.3 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V

Qg-柵極電荷: 110 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 214 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Tube

商標(biāo): Infineon Technologies

配置: Single

下降時(shí)間: 17 ns

高度: 15.65 mm

長(zhǎng)度: 10 mm

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 16 ns

系列: OptiMOS-T

工廠包裝數(shù)量: 50

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 46 ns

典型接通延遲時(shí)間: 30 ns

寬度: 4.4 mm

零件號(hào)別名: SP000261227 IPP1N4S33XK IPP100N04S303AKSA1

單位重量: 2 g

使用ROHM開(kāi)發(fā)的超小型（15.0mm × 19.0mm）支持Wi-SUN FAN的無(wú)線通信模塊“BP35C5”配置而成。

當(dāng)將支持Wi-SUN FAN的協(xié)議棧（FAN堆棧）安裝在作為主機(jī)的網(wǎng)關(guān)MCU上以構(gòu)建大規(guī)模系統(tǒng)時(shí)，在中繼器之間最多可連接20個(gè)躍點(diǎn)，每個(gè)中繼器最多可連接64個(gè)終端，從而可同時(shí)連接多達(dá)1000個(gè)節(jié)點(diǎn)。

這些解決方案是與領(lǐng)先模塊制造商使用的多個(gè)芯片組緊密配合開(kāi)發(fā)的，旨在支持較長(zhǎng)的汽車(chē)生命周期。

通過(guò)將其安裝在智能儀表、交通信號(hào)燈和路燈等社會(huì)基礎(chǔ)設(shè)施中，可以構(gòu)建類似遠(yuǎn)程管理系統(tǒng)一樣的覆蓋整個(gè)城市的大規(guī)模網(wǎng)狀網(wǎng)絡(luò)。

(素材來(lái)源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）