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初級側(cè)和次級側(cè)使用氮化鎵實現(xiàn)超過4000W/in3的最大功率密度

發(fā)布時間:2021/9/29 20:51:11 訪問次數(shù):346

EPC2069 非常適合需要高功率密度的應(yīng)用,包括48 V-54 V輸入服務(wù)器。

較低的柵極電荷和零反向恢復(fù)損耗可實現(xiàn)1 MHz及更高頻率的高頻操作、高效并在10.6 mm2 的微小占位面積內(nèi),實現(xiàn)高功率密度。

EPC2069器件可支持48V/12V DC/DC解決方案,范圍從 500 W 到 2 kW,效率超過98%。在初級側(cè)和次級側(cè)使用氮化鎵(eGaN)器件可實現(xiàn)超過4000 W/in3 的最大功率密度。

這使得RX140 MCU能夠在家電、工業(yè)和樓宇自動化(BA)等廣泛應(yīng)用中實現(xiàn)高性能和低功耗。

制造商:NXP 產(chǎn)品種類:ARM微控制器 - MCU RoHS: 詳細信息 系列:K10_72 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:LQFP-144 核心:ARM Cortex M4 程序存儲器大小:256 kB 數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit 最大時鐘頻率:100 MHz 數(shù)據(jù) RAM 大小:128 kB 工作電源電壓:3.3 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 105 C 封裝:Tray 模擬電源電壓:3.3 V 商標(biāo):NXP Semiconductors I/O 電壓:3.3 V 濕度敏感性:Yes 處理器系列:Kinetis K 產(chǎn)品類型:ARM Microcontrollers - MCU 工廠包裝數(shù)量:300 子類別:Microcontrollers - MCU 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:1.71 V 商標(biāo)名:Kinetis 零件號別名:935319788557 單位重量:1.319 g

EPC2069器件專為從40 V–60 V轉(zhuǎn)至12 V的LLC DC/DC轉(zhuǎn)換器的次級側(cè)而設(shè)計,目前非常普遍用于48 V–54 V輸入的服務(wù)器,以應(yīng)對人工智能和游戲等高密度計算應(yīng)用所需。

具有可程序編輯均衡器、線性擺幅和平坦增益功能,可補償 PCB 較長布線造成的訊號損失。

EPC推出了40 V、1.6 mΩ的氮化鎵場效應(yīng)晶體管 (eGaN® FET),器件型號為EPC2069.

專為設(shè)計人員而設(shè),EPC2069比目前市場上可選的器件更小、更高效、更可靠,適用于高性能且空間受限的應(yīng)用。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)


EPC2069 非常適合需要高功率密度的應(yīng)用,包括48 V-54 V輸入服務(wù)器。

較低的柵極電荷和零反向恢復(fù)損耗可實現(xiàn)1 MHz及更高頻率的高頻操作、高效并在10.6 mm2 的微小占位面積內(nèi),實現(xiàn)高功率密度。

EPC2069器件可支持48V/12V DC/DC解決方案,范圍從 500 W 到 2 kW,效率超過98%。在初級側(cè)和次級側(cè)使用氮化鎵(eGaN)器件可實現(xiàn)超過4000 W/in3 的最大功率密度。

這使得RX140 MCU能夠在家電、工業(yè)和樓宇自動化(BA)等廣泛應(yīng)用中實現(xiàn)高性能和低功耗。

制造商:NXP 產(chǎn)品種類:ARM微控制器 - MCU RoHS: 詳細信息 系列:K10_72 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:LQFP-144 核心:ARM Cortex M4 程序存儲器大小:256 kB 數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit 最大時鐘頻率:100 MHz 數(shù)據(jù) RAM 大小:128 kB 工作電源電壓:3.3 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 105 C 封裝:Tray 模擬電源電壓:3.3 V 商標(biāo):NXP Semiconductors I/O 電壓:3.3 V 濕度敏感性:Yes 處理器系列:Kinetis K 產(chǎn)品類型:ARM Microcontrollers - MCU 工廠包裝數(shù)量:300 子類別:Microcontrollers - MCU 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:1.71 V 商標(biāo)名:Kinetis 零件號別名:935319788557 單位重量:1.319 g

EPC2069器件專為從40 V–60 V轉(zhuǎn)至12 V的LLC DC/DC轉(zhuǎn)換器的次級側(cè)而設(shè)計,目前非常普遍用于48 V–54 V輸入的服務(wù)器,以應(yīng)對人工智能和游戲等高密度計算應(yīng)用所需。

具有可程序編輯均衡器、線性擺幅和平坦增益功能,可補償 PCB 較長布線造成的訊號損失。

EPC推出了40 V、1.6 mΩ的氮化鎵場效應(yīng)晶體管 (eGaN® FET),器件型號為EPC2069.

專為設(shè)計人員而設(shè),EPC2069比目前市場上可選的器件更小、更高效、更可靠,適用于高性能且空間受限的應(yīng)用。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)


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