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在軟開關(guān)部分低RDS(on)xCoss tr使軟開關(guān)應(yīng)用的功率密度更高

發(fā)布時間:2021/9/30 12:36:49 訪問次數(shù):255

MaxLinear Telluride (MxL9354x)脈沖振幅調(diào)制(PAM4)數(shù)字信號處理器(DSP)的莫仕(Molex LLC) 400G-DR4光模塊,MaxLinear PAM4 DSP為400G QSFP-DD光模塊提供支持.

400G-DR4光模塊是莫仕完整數(shù)據(jù)中心連接產(chǎn)品系列的新成員,為數(shù)據(jù)中心所有層級的光互連應(yīng)用提供解決方案。

莫仕憑借這一技術(shù),能夠以緊湊的QSFP-DD形式為內(nèi)部數(shù)據(jù)中心應(yīng)用構(gòu)建400Gbps高性能光模塊,滿足下一代超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心嚴(yán)格的性能和互操作性要求。

制造商: ISSI

產(chǎn)品種類: 靜態(tài)隨機存取存儲器

RoHS: 詳細(xì)信息

存儲容量: 8 Mbit

組織: 512 k x 16

訪問時間: 55 ns

最大時鐘頻率: 18 MHz

接口類型: Parallel

電源電壓-最大: 3.6 V

電源電壓-最小: 2.5 V

電源電流—最大值: 4 mA

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSOP-44

封裝: Tray

商標(biāo): ISSI

數(shù)據(jù)速率: SDR

濕度敏感性: Yes

端口數(shù)量: 1

產(chǎn)品類型: SRAM

系列: IS62WV51216BLL

工廠包裝數(shù)量: 135

子類別: Memory & Data Storage

類型: Asynchronous

單位重量: 6.677 g


通過與650VSiCMOSFETs的競品相比,UJ4C/SC擁有優(yōu)異的性能指數(shù)。整個器件不止在滿載上擁有極佳效能,在輕載到中載部分上也能提供更好的效能。

在軟開關(guān)部分,低RDS(on)xCoss,tr使軟開關(guān)應(yīng)用的功率密度更高。

在RDSA部分,常用溫度范圍下產(chǎn)品能夠提供極低的導(dǎo)通損耗。換言之,假若客戶所設(shè)計的產(chǎn)品考慮到面積或包裝形態(tài)時,在一個溫度范圍內(nèi)能夠提供最低的傳導(dǎo)損失。

這意味著同樣的包裝之下,搭載產(chǎn)品能夠獲得最低的阻抗。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)


MaxLinear Telluride (MxL9354x)脈沖振幅調(diào)制(PAM4)數(shù)字信號處理器(DSP)的莫仕(Molex LLC) 400G-DR4光模塊,MaxLinear PAM4 DSP為400G QSFP-DD光模塊提供支持.

400G-DR4光模塊是莫仕完整數(shù)據(jù)中心連接產(chǎn)品系列的新成員,為數(shù)據(jù)中心所有層級的光互連應(yīng)用提供解決方案。

莫仕憑借這一技術(shù),能夠以緊湊的QSFP-DD形式為內(nèi)部數(shù)據(jù)中心應(yīng)用構(gòu)建400Gbps高性能光模塊,滿足下一代超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心嚴(yán)格的性能和互操作性要求。

制造商: ISSI

產(chǎn)品種類: 靜態(tài)隨機存取存儲器

RoHS: 詳細(xì)信息

存儲容量: 8 Mbit

組織: 512 k x 16

訪問時間: 55 ns

最大時鐘頻率: 18 MHz

接口類型: Parallel

電源電壓-最大: 3.6 V

電源電壓-最小: 2.5 V

電源電流—最大值: 4 mA

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSOP-44

封裝: Tray

商標(biāo): ISSI

數(shù)據(jù)速率: SDR

濕度敏感性: Yes

端口數(shù)量: 1

產(chǎn)品類型: SRAM

系列: IS62WV51216BLL

工廠包裝數(shù)量: 135

子類別: Memory & Data Storage

類型: Asynchronous

單位重量: 6.677 g


通過與650VSiCMOSFETs的競品相比,UJ4C/SC擁有優(yōu)異的性能指數(shù)。整個器件不止在滿載上擁有極佳效能,在輕載到中載部分上也能提供更好的效能。

在軟開關(guān)部分,低RDS(on)xCoss,tr使軟開關(guān)應(yīng)用的功率密度更高。

在RDSA部分,常用溫度范圍下產(chǎn)品能夠提供極低的導(dǎo)通損耗。換言之,假若客戶所設(shè)計的產(chǎn)品考慮到面積或包裝形態(tài)時,在一個溫度范圍內(nèi)能夠提供最低的傳導(dǎo)損失。

這意味著同樣的包裝之下,搭載產(chǎn)品能夠獲得最低的阻抗。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)


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