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有效和表觀能量以及均方根(RMS)電壓和RMS電流

發(fā)布時(shí)間:2023/1/27 11:37:40 訪問(wèn)次數(shù):8

DSP能實(shí)現(xiàn)所有必要的能量測(cè)量計(jì)算,使數(shù)據(jù)管理和監(jiān)視功能可用低成本的微處理器.

這種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化了電表的設(shè)計(jì),以前是依靠微處理器來(lái)進(jìn)行復(fù)雜的計(jì)算.降低代碼開(kāi)發(fā)能大大地降低成本,加快產(chǎn)品走向市場(chǎng).

ADE7758有2階Sigma-Delta ADC,設(shè)計(jì)用于中等范圍的三相電表.

對(duì)每一相,芯片測(cè)量無(wú)功,有效和表觀能量以及均方根(RMS)電壓和RMS電流.這些測(cè)量通過(guò)串行口進(jìn)行存取,允許進(jìn)行全部自動(dòng)化數(shù)字校準(zhǔn).

制造商:onsemi 產(chǎn)品種類:電源開(kāi)關(guān) IC - 配電 RoHS: 詳細(xì)信息 導(dǎo)通電阻—最大值:120 mOhms 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:MicroFET-6 系列:FPF2165R 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 商標(biāo):onsemi / Fairchild Pd-功率耗散:1200 mW 產(chǎn)品類型:Power Switch ICs - Power Distribution 工廠包裝數(shù)量:3000 子類別:Switch ICs 單位重量:30 mg

新款80 V和100 V ASFET,新器件增強(qiáng)了SOA性能,適用于5G電信系統(tǒng)和48 V服務(wù)器環(huán)境中的熱插拔與軟啟動(dòng)應(yīng)用以及需要e-fuse和電池保護(hù)的工業(yè)設(shè)備。

ASFET是一種新型MOSFET,經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可用于特定應(yīng)用場(chǎng)景。

另一項(xiàng)重要改進(jìn)是數(shù)據(jù)手冊(cè)中添加了125 °C SOA特性。以前只在25 °C時(shí)指定SOA,這意味著在高溫環(huán)境中的操作,設(shè)計(jì)師必須進(jìn)行降額。我們的新款熱插拔ASFET包括125 °C SOA規(guī)范,消除了該耗時(shí)的任務(wù),并證實(shí)了Nexperia的器件即使在高溫下也具有出色的性能。

上海德懿電子科技有限公司  www.deyie.com

(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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對(duì)每一相,芯片測(cè)量無(wú)功,有效和表觀能量以及均方根(RMS)電壓和RMS電流.這些測(cè)量通過(guò)串行口進(jìn)行存取,允許進(jìn)行全部自動(dòng)化數(shù)字校準(zhǔn).

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ASFET是一種新型MOSFET,經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可用于特定應(yīng)用場(chǎng)景。

另一項(xiàng)重要改進(jìn)是數(shù)據(jù)手冊(cè)中添加了125 °C SOA特性。以前只在25 °C時(shí)指定SOA,這意味著在高溫環(huán)境中的操作,設(shè)計(jì)師必須進(jìn)行降額。我們的新款熱插拔ASFET包括125 °C SOA規(guī)范,消除了該耗時(shí)的任務(wù),并證實(shí)了Nexperia的器件即使在高溫下也具有出色的性能。

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