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高頻10位數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)SPT5240它的功耗比同類產(chǎn)品低8%

發(fā)布時(shí)間:2021/10/3 8:37:06 訪問次數(shù):98

高頻10位數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)SPT5240,它的功耗比同類產(chǎn)品低8%.

在400MHz和輸出電流12mA時(shí),功耗僅為149mW.SPT5240是理想的可用在需要高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換的測(cè)試設(shè)備,醫(yī)療診斷和圖像,手提通信和其它以電池為能源的設(shè)備.它也適合用在機(jī)頂盒,視頻顯示和寬帶RF.

SPT5240轉(zhuǎn)換器的其它特性包括有擴(kuò)展的工業(yè)溫度范圍-40度C到85度C,互補(bǔ)的電流輸出和內(nèi)部基準(zhǔn)電壓源.SPT5240是32引腳LQFP封裝,工作電壓3.3V.

單片無線電收發(fā)器ZL20200,它有最高的集成度,好的性價(jià)比,能用在TDMA手機(jī)中,現(xiàn)在已向南美地區(qū)出貨.


制造商:Infineon產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 詳細(xì)信息技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TO-252-3晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:100 VId-連續(xù)漏極電流:30 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:31 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:1.2 VQg-柵極電荷:24 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 175 CPd-功率耗散:57 W通道模式:Enhancement資格:AEC-Q101商標(biāo)名:OptiMOS封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel配置:Single高度:2.3 mm長(zhǎng)度:6.5 mm系列:OptiMOS-T晶體管類型:1 N-Channel寬度:6.22 mm商標(biāo):Infineon Technologies下降時(shí)間:3 ns產(chǎn)品類型:MOSFET上升時(shí)間:4 ns工廠包裝數(shù)量:2500子類別:MOSFETs典型關(guān)閉延遲時(shí)間:18 ns典型接通延遲時(shí)間:6 ns零件號(hào)別名:SP000261248 IPD3N1S3L34XT IPD30N10S3L34ATMA1單位重量:330 mg

NSiP83086/NSiP1042芯片是集成了隔離電源、數(shù)字隔離器和接口芯片的三合一芯片。

隔離電源采用業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的片上變壓器技術(shù),擁有自主IP,相比傳統(tǒng)的外部獨(dú)立隔離電源方案,大大減小了布板面積,提高了集成度,簡(jiǎn)化設(shè)計(jì),并且集成閉環(huán)控制電路,無需外加LDO即可實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的負(fù)載調(diào)整率。

集成隔離電源的隔離接口芯片NSiP83086/NSPi1042兼容絕大部分MCU I/O電平,并且提供業(yè)內(nèi)通用的封裝形式,降低了系統(tǒng)級(jí)的成本并帶來更優(yōu)的性能體驗(yàn)。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

高頻10位數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)SPT5240,它的功耗比同類產(chǎn)品低8%.

在400MHz和輸出電流12mA時(shí),功耗僅為149mW.SPT5240是理想的可用在需要高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換的測(cè)試設(shè)備,醫(yī)療診斷和圖像,手提通信和其它以電池為能源的設(shè)備.它也適合用在機(jī)頂盒,視頻顯示和寬帶RF.

SPT5240轉(zhuǎn)換器的其它特性包括有擴(kuò)展的工業(yè)溫度范圍-40度C到85度C,互補(bǔ)的電流輸出和內(nèi)部基準(zhǔn)電壓源.SPT5240是32引腳LQFP封裝,工作電壓3.3V.

單片無線電收發(fā)器ZL20200,它有最高的集成度,好的性價(jià)比,能用在TDMA手機(jī)中,現(xiàn)在已向南美地區(qū)出貨.


制造商:Infineon產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 詳細(xì)信息技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TO-252-3晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:100 VId-連續(xù)漏極電流:30 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:31 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:1.2 VQg-柵極電荷:24 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 175 CPd-功率耗散:57 W通道模式:Enhancement資格:AEC-Q101商標(biāo)名:OptiMOS封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel配置:Single高度:2.3 mm長(zhǎng)度:6.5 mm系列:OptiMOS-T晶體管類型:1 N-Channel寬度:6.22 mm商標(biāo):Infineon Technologies下降時(shí)間:3 ns產(chǎn)品類型:MOSFET上升時(shí)間:4 ns工廠包裝數(shù)量:2500子類別:MOSFETs典型關(guān)閉延遲時(shí)間:18 ns典型接通延遲時(shí)間:6 ns零件號(hào)別名:SP000261248 IPD3N1S3L34XT IPD30N10S3L34ATMA1單位重量:330 mg

NSiP83086/NSiP1042芯片是集成了隔離電源、數(shù)字隔離器和接口芯片的三合一芯片。

隔離電源采用業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的片上變壓器技術(shù),擁有自主IP,相比傳統(tǒng)的外部獨(dú)立隔離電源方案,大大減小了布板面積,提高了集成度,簡(jiǎn)化設(shè)計(jì),并且集成閉環(huán)控制電路,無需外加LDO即可實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的負(fù)載調(diào)整率。

集成隔離電源的隔離接口芯片NSiP83086/NSPi1042兼容絕大部分MCU I/O電平,并且提供業(yè)內(nèi)通用的封裝形式,降低了系統(tǒng)級(jí)的成本并帶來更優(yōu)的性能體驗(yàn)。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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