有源層所制成薄膜晶體管(TFT)電荷遷移率超過(guò)1cm2/Vs
發(fā)布時(shí)間:2021/10/3 23:05:50 訪問(wèn)次數(shù):422
Infineon所演示的幾種器件有:采用有機(jī)半導(dǎo)體分子作為有源層所制成的薄膜晶體管(TFT),它的電荷遷移率超過(guò)1 cm2/ Vs.
和硅元件一樣,這些有機(jī)晶體管也有幾層:襯底,柵電極,柵絕緣體,源和漏接觸,有機(jī)半導(dǎo)體(如并五苯或替代品低聚合噻吩(oligothiophene))以及保護(hù)的鈍化層.
新有機(jī)材料具有高密度存儲(chǔ)器的潛能.眾多的有機(jī)和無(wú)機(jī)材料已用作非揮發(fā)性存儲(chǔ)器.有機(jī)材料的集成簡(jiǎn)單,單元結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單而且尺寸很小.
制造商:Monolithic Power Systems (MPS) 產(chǎn)品種類(lèi):開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOT-23-8 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):Buck 輸出電壓:800 mV to 16 V 輸出電流:3 A 輸出端數(shù)量:1 Output 最大輸入電壓:16 V 最小輸入電壓:4.5 V 開(kāi)關(guān)頻率:500 kHz 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 產(chǎn)品:Voltage Regulators 類(lèi)型:Synchronous Step-Down Converter 商標(biāo):Monolithic Power Systems (MPS) 產(chǎn)品類(lèi)型:Switching Voltage Regulators 工廠包裝數(shù)量3000 子類(lèi)別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:6.300 mg
引腳兼容主流霍爾電流傳感器，支持5V和3.3V供電，且有直流輸入電壓版本、交流輸入電壓版本、可選比例輸出電壓版本和固定電壓輸出版本以滿足不同使用場(chǎng)景。
采用140nm規(guī)則所制造的256M DDR DRAM測(cè)試樣品表明有高的成品率.更進(jìn)一步的證明顯示,DRAM能降低到70nm以下.
(素材來(lái)源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）
Infineon所演示的幾種器件有:采用有機(jī)半導(dǎo)體分子作為有源層所制成的薄膜晶體管(TFT),它的電荷遷移率超過(guò)1 cm2/ Vs.
和硅元件一樣,這些有機(jī)晶體管也有幾層:襯底,柵電極,柵絕緣體,源和漏接觸,有機(jī)半導(dǎo)體(如并五苯或替代品低聚合噻吩(oligothiophene))以及保護(hù)的鈍化層.
新有機(jī)材料具有高密度存儲(chǔ)器的潛能.眾多的有機(jī)和無(wú)機(jī)材料已用作非揮發(fā)性存儲(chǔ)器.有機(jī)材料的集成簡(jiǎn)單,單元結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單而且尺寸很小.
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引腳兼容主流霍爾電流傳感器，支持5V和3.3V供電，且有直流輸入電壓版本、交流輸入電壓版本、可選比例輸出電壓版本和固定電壓輸出版本以滿足不同使用場(chǎng)景。
采用140nm規(guī)則所制造的256M DDR DRAM測(cè)試樣品表明有高的成品率.更進(jìn)一步的證明顯示,DRAM能降低到70nm以下.
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