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8個(gè)電壓控制衰減器(VCA)和8個(gè)可編增益放大器(PGA)

發(fā)布時(shí)間:2021/10/3 23:15:28 訪問次數(shù):146

NSM201X系列產(chǎn)品均可提供樣品,除了NSM201X系列集成電流路徑線性霍爾傳感器外, 納芯微后續(xù)還會(huì)推出更多車規(guī)傳感器,包括基于霍爾原理的信號(hào)鏈接芯片產(chǎn)品(與霍爾元件分離)、基于霍爾原理的磁角度傳感器、基于霍爾原理的轉(zhuǎn)速傳感器等,以滿足汽車行業(yè)電氣化浪潮對(duì)霍爾傳感器的應(yīng)用需求

VCA8613集成了8個(gè)低噪音預(yù)放大器(LNA),8個(gè)電壓控制衰減器(VCA)和8個(gè)可編增益放大器(PGA).

通常,有這些功能和集成度會(huì)消耗很多的功耗.但是,VCA8613僅消耗600mW(75mW/通道),使他成為當(dāng)今市場(chǎng)中能得到的最低功耗解決方案.

制造商:Micro Commercial Components (MCC) 產(chǎn)品種類:整流器 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC Vr - 反向電壓 :800 V If - 正向電流:1 A 類型:Fast Recovery Rectifiers 配置:Single 最大浪涌電流:30 A Ir - 反向電流 :10 uA 恢復(fù)時(shí)間:75 ns 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 產(chǎn)品:Rectifiers 商標(biāo):Micro Commercial Components (MCC) 產(chǎn)品類型:Rectifiers 工廠包裝數(shù)量5000 子類別:Diodes & Rectifiers 單位重量:63 mg

新的分子薄膜晶體管(TFT)工作電壓低.而傳統(tǒng)TFT的最嚴(yán)重問題是它的工作電壓高,超過20V.

為了降低有機(jī)TFT IC的工作電壓和功耗,需要采用超薄的柵絕緣介質(zhì).

Infineon開發(fā)的新的分子TFT是采用高遷移率的有機(jī)半導(dǎo)體(并五苯)和超薄膜(2.5nm)分子自聚合單層(SAM)柵介質(zhì).

這種晶體管的工作電壓能低到1V,亞閾值擺幅低到100 mV/十.對(duì)于溝道長(zhǎng)度5um的晶體管,測(cè)量到的跨導(dǎo)為0.01us/um,這是到目前為止有機(jī)半導(dǎo)體器件最高的跨導(dǎo).


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

NSM201X系列產(chǎn)品均可提供樣品,除了NSM201X系列集成電流路徑線性霍爾傳感器外, 納芯微后續(xù)還會(huì)推出更多車規(guī)傳感器,包括基于霍爾原理的信號(hào)鏈接芯片產(chǎn)品(與霍爾元件分離)、基于霍爾原理的磁角度傳感器、基于霍爾原理的轉(zhuǎn)速傳感器等,以滿足汽車行業(yè)電氣化浪潮對(duì)霍爾傳感器的應(yīng)用需求

VCA8613集成了8個(gè)低噪音預(yù)放大器(LNA),8個(gè)電壓控制衰減器(VCA)和8個(gè)可編增益放大器(PGA).

通常,有這些功能和集成度會(huì)消耗很多的功耗.但是,VCA8613僅消耗600mW(75mW/通道),使他成為當(dāng)今市場(chǎng)中能得到的最低功耗解決方案.

制造商:Micro Commercial Components (MCC) 產(chǎn)品種類:整流器 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC Vr - 反向電壓 :800 V If - 正向電流:1 A 類型:Fast Recovery Rectifiers 配置:Single 最大浪涌電流:30 A Ir - 反向電流 :10 uA 恢復(fù)時(shí)間:75 ns 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 產(chǎn)品:Rectifiers 商標(biāo):Micro Commercial Components (MCC) 產(chǎn)品類型:Rectifiers 工廠包裝數(shù)量5000 子類別:Diodes & Rectifiers 單位重量:63 mg

新的分子薄膜晶體管(TFT)工作電壓低.而傳統(tǒng)TFT的最嚴(yán)重問題是它的工作電壓高,超過20V.

為了降低有機(jī)TFT IC的工作電壓和功耗,需要采用超薄的柵絕緣介質(zhì).

Infineon開發(fā)的新的分子TFT是采用高遷移率的有機(jī)半導(dǎo)體(并五苯)和超薄膜(2.5nm)分子自聚合單層(SAM)柵介質(zhì).

這種晶體管的工作電壓能低到1V,亞閾值擺幅低到100 mV/十.對(duì)于溝道長(zhǎng)度5um的晶體管,測(cè)量到的跨導(dǎo)為0.01us/um,這是到目前為止有機(jī)半導(dǎo)體器件最高的跨導(dǎo).


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