XENSIV雷達(dá)芯片及專(zhuān)有雷達(dá)存在檢測(cè)算法的80MHz信道
發(fā)布時(shí)間:2021/9/27 12:49:03 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):159
與傳統(tǒng)的被動(dòng)紅外線(xiàn)和超聲波傳感器相比,毫米波雷達(dá)傳感技術(shù)具有許多性能優(yōu)勢(shì)。雷達(dá)傳感器可穿透大部分產(chǎn)品塑膠外殼,因此可以隱藏在產(chǎn)品之中,解決隱私和安全問(wèn)題。
這種一體化解決方案能夠在可配置的范圍內(nèi)檢測(cè)人的存在、微小運(yùn)動(dòng),如在筆記本前打字,以及大動(dòng)作,如在房間內(nèi)行走等都能被檢測(cè)到。
方案采用英飛凌XENSIV 雷達(dá)芯片及其專(zhuān)有的雷達(dá)存在檢測(cè)算法,基于英飛凌ARM Cortex-M4F的處理器系統(tǒng)、集成1Tx/3Rx天線(xiàn)和功率調(diào)節(jié)器。
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 80 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 7.4 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 56 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 79 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
封裝: Tube
商標(biāo): Infineon Technologies
配置: Single
高度: 15.65 mm
長(zhǎng)度: 10 mm
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
系列: IPP80N06S4
工廠(chǎng)包裝數(shù)量: 50
子類(lèi)別: MOSFETs
晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel
寬度: 4.4 mm
零件號(hào)別名: IPP80N06S4-07 SP001028666
單位重量: 2 g
這些解決方案是與領(lǐng)先模塊制造商使用的多個(gè)芯片組緊密配合開(kāi)發(fā)的,旨在支持較長(zhǎng)的汽車(chē)生命周期。除了滿(mǎn)足 ISO/TS 16949 認(rèn)證要求之外,Qorvo 還施行 AEC-Q100 和 AEC-Q200 測(cè)試以確保產(chǎn)品達(dá)到嚴(yán)格的汽車(chē)行業(yè)要求。
與傳統(tǒng)的被動(dòng)紅外線(xiàn)和超聲波傳感器相比,毫米波雷達(dá)傳感技術(shù)具有許多性能優(yōu)勢(shì)。雷達(dá)傳感器可穿透大部分產(chǎn)品塑膠外殼,因此可以隱藏在產(chǎn)品之中,解決隱私和安全問(wèn)題。
這種一體化解決方案能夠在可配置的范圍內(nèi)檢測(cè)人的存在、微小運(yùn)動(dòng),如在筆記本前打字,以及大動(dòng)作,如在房間內(nèi)行走等都能被檢測(cè)到。
方案采用英飛凌XENSIV 雷達(dá)芯片及其專(zhuān)有的雷達(dá)存在檢測(cè)算法,基于英飛凌ARM Cortex-M4F的處理器系統(tǒng)、集成1Tx/3Rx天線(xiàn)和功率調(diào)節(jié)器。
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 80 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 7.4 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 56 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 79 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
封裝: Tube
商標(biāo): Infineon Technologies
配置: Single
高度: 15.65 mm
長(zhǎng)度: 10 mm
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
系列: IPP80N06S4
工廠(chǎng)包裝數(shù)量: 50
子類(lèi)別: MOSFETs
晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel
寬度: 4.4 mm
零件號(hào)別名: IPP80N06S4-07 SP001028666
單位重量: 2 g
這些解決方案是與領(lǐng)先模塊制造商使用的多個(gè)芯片組緊密配合開(kāi)發(fā)的,旨在支持較長(zhǎng)的汽車(chē)生命周期。除了滿(mǎn)足 ISO/TS 16949 認(rèn)證要求之外,Qorvo 還施行 AEC-Q100 和 AEC-Q200 測(cè)試以確保產(chǎn)品達(dá)到嚴(yán)格的汽車(chē)行業(yè)要求。
熱門(mén)點(diǎn)擊
- MPX2002在負(fù)載條件下實(shí)現(xiàn)高效率的電磁干
- 4D成像雷達(dá)將雷達(dá)的功能從測(cè)量范圍和速度擴(kuò)展
- CWF2414型片狀電感器還具有高自諧振頻率
- 2486球的BGA封裝基礎(chǔ)設(shè)施電源和智能功率
- 磁感應(yīng)來(lái)發(fā)送或接收AC電源信號(hào)低延遲無(wú)線(xiàn)音頻
- 變壓器線(xiàn)圈匝數(shù)比就可以獲得適合的副邊電流精度
- 雙極MOSFET中同步Sub-6 GHz和m
- XENSIV雷達(dá)芯片及專(zhuān)有雷達(dá)存在檢測(cè)算法的
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推薦技術(shù)資料
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