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IDE模式以及8/16位數(shù)據(jù)寬度存取Adaptec三模式存儲(chǔ)適配器

發(fā)布時(shí)間:2021/10/4 17:53:54 訪問次數(shù):112

Adaptec®智能存儲(chǔ) PCIe®第四代 NVMe 三模式 SmartRAID 3200 RAID適配器,以及Adaptec SmartHBA 2200和Adaptec HBA 1200主機(jī)總線適配器。

這些適配器實(shí)現(xiàn)了下一代NVMe和24G SAS連接和可管理性,具有市場領(lǐng)先的性能,同時(shí)提供了下一代數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施所需的新安全級(jí)別。

Microchip全新Adaptec三模式存儲(chǔ)適配器提供了云計(jì)算和服務(wù)器OEM客戶對(duì)基于PCIe 第四代最新服務(wù)器存儲(chǔ)解決方案所要求的性能、連接性、安全性和易管理性。

制造商:Nexperia 產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-6 晶體管極性:NPN 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:45 V 集電極—基極電壓 VCBO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V 集電極—射極飽和電壓:700 mV 最大直流電集電極電流:500 mA Pd-功率耗散:370 mW 增益帶寬產(chǎn)品fT:100 MHz 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C 資格:AEC-Q101 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 直流電流增益 hFE 最大值:160 at 100 mA, 1 V 高度:1 mm 長度:3.1 mm 技術(shù):Si 寬度:1.7 mm 商標(biāo):Nexperia 集電極連續(xù)電流:500 mA 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:Transistors 零件號(hào)別名:934057319115 單位重量:11 mg

CompactFlash(CF)接口支持存儲(chǔ)器模式,I/O模式和真正的IDE模式以及8/16位數(shù)據(jù)寬度存取,

SM/xD接口支持硬件ECC產(chǎn)生和查證,多扇區(qū)閱讀操作和高速編程,

MS/MS Pro接口支持4位和1位MS Pro接口,硬件CRC16產(chǎn)生和查證,支持多頁存取和閃存指令暫停檢測,時(shí)鐘速率高達(dá)60MHz,

SD/MMC接口和安全數(shù)字輸入/輸出拉標(biāo)準(zhǔn)V1.0兼容,支持SD和SPI模式傳輸,硬件CRC7產(chǎn)生和CMD查證,支持帶停止指令的多區(qū)塊交易,時(shí)鐘速率從375kHz到30MHz.


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

Adaptec®智能存儲(chǔ) PCIe®第四代 NVMe 三模式 SmartRAID 3200 RAID適配器,以及Adaptec SmartHBA 2200和Adaptec HBA 1200主機(jī)總線適配器。

這些適配器實(shí)現(xiàn)了下一代NVMe和24G SAS連接和可管理性,具有市場領(lǐng)先的性能,同時(shí)提供了下一代數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施所需的新安全級(jí)別。

Microchip全新Adaptec三模式存儲(chǔ)適配器提供了云計(jì)算和服務(wù)器OEM客戶對(duì)基于PCIe 第四代最新服務(wù)器存儲(chǔ)解決方案所要求的性能、連接性、安全性和易管理性。

制造商:Nexperia 產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-6 晶體管極性:NPN 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:45 V 集電極—基極電壓 VCBO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V 集電極—射極飽和電壓:700 mV 最大直流電集電極電流:500 mA Pd-功率耗散:370 mW 增益帶寬產(chǎn)品fT:100 MHz 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C 資格:AEC-Q101 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 直流電流增益 hFE 最大值:160 at 100 mA, 1 V 高度:1 mm 長度:3.1 mm 技術(shù):Si 寬度:1.7 mm 商標(biāo):Nexperia 集電極連續(xù)電流:500 mA 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:Transistors 零件號(hào)別名:934057319115 單位重量:11 mg

CompactFlash(CF)接口支持存儲(chǔ)器模式,I/O模式和真正的IDE模式以及8/16位數(shù)據(jù)寬度存取,

SM/xD接口支持硬件ECC產(chǎn)生和查證,多扇區(qū)閱讀操作和高速編程,

MS/MS Pro接口支持4位和1位MS Pro接口,硬件CRC16產(chǎn)生和查證,支持多頁存取和閃存指令暫停檢測,時(shí)鐘速率高達(dá)60MHz,

SD/MMC接口和安全數(shù)字輸入/輸出拉標(biāo)準(zhǔn)V1.0兼容,支持SD和SPI模式傳輸,硬件CRC7產(chǎn)生和CMD查證,支持帶停止指令的多區(qū)塊交易,時(shí)鐘速率從375kHz到30MHz.


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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