數(shù)字化轉(zhuǎn)型對公司來說比以往任何時(shí)候都更加重要。最近對 Aberdeen 和 Panasonic 的一項(xiàng)研究表明，由于新冠疫情，70% 的公司正在更多地實(shí)施數(shù)字化。

但一個(gè)挑戰(zhàn)仍然存在：大約 80% 的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用依賴于生產(chǎn)過程中資產(chǎn)的位置數(shù)據(jù)，包括工具、AGV、零件或容器。

迄今為止，在選擇本地化解決方案時(shí)，公司必須在精度和價(jià)格之間做出決定：RFID 和 BLE 過去成本較低，但由于精度和范圍較低，因此僅適用于少數(shù)應(yīng)用。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 2 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 19 A, 30 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 18 mOhms, 9 mOhms

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

配置: Dual

高度: 1.1 mm

長度: 3.3 mm

系列: BSZ0908

晶體管類型: 2 N-Channel

寬度: 3.3 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

產(chǎn)品類型: MOSFET

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

零件號別名: BSZ0908ND SP000865176 BSZ0908NDXT

單位重量: 38.760 mg

38.760 mg

可編程功率限制和電流限制,

工作電壓+9V到+80V(最大100V),

低RDS(on)外接N溝MOSFET的高邊驅(qū)動,

鎖存工作(TPS2490)和自動再試(TPS2491),

快速電流限制,以保護(hù)輸出短路時(shí)的輸入分布,

功率良好漏極開;路輸出,提供下游DC/DC配位,

高精度(+/-10%),

可編欠壓鎖住/邏輯使能,允許源低電壓關(guān)端或系統(tǒng)級邏輯控制.

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