全新高性能微控制器 (MCU) 產(chǎn)品系列，推動了邊緣端的實時控制、網(wǎng)絡(luò)互聯(lián)和智能分析。憑借全新的Sitara AM2x系列MCU，工程師可以使用10倍于以前基于閃存MCU的運算能力。

高性能AM2x系列縮小了MCU和處理器之間日益增加的性能差距，使設(shè)計人員能夠在工廠自動化、機器人、汽車系統(tǒng)和可持續(xù)能源管理等應(yīng)用領(lǐng)域突破性能限制。

人們對工業(yè)自動化、下一代汽車、智能分析和萬物互聯(lián)的需求推升了邊緣端微控制器的性能要求——更快速、更準確。為分布式系統(tǒng)提供更先進、更高效的處理能力是實現(xiàn)工業(yè)4.0的關(guān)鍵步驟之一.

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-7

晶體管極性: P-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 180 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3.9 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 16 V, + 5 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V

Qg-柵極電荷: 220 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 150 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

系列: OptiMOS-P2

晶體管類型: 1 P-Channel

寬度: 9.25 mm

商標: Infineon Technologies

下降時間: 119 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 28 ns

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間: 146 ns

典型接通延遲時間: 32 ns

零件號別名: IPB18P4P4L2XT SP000709460 IPB180P04P4L02ATMA1

單位重量: 1.600 g

硬件數(shù)據(jù)保護,在電源變化時編程/擦除鎖住,

用于高性能編程的緩存編程操作,

加電時自動讀操作,

采用可靠的CMOS浮置柵技術(shù),

00K編程/擦除次數(shù),數(shù)據(jù)保存10年,

用于復(fù)制保護的獨特ID.

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