點陣反轉(zhuǎn)共同電壓調(diào)制和隔行方案以低功耗方式增加到前屏性能
發(fā)布時間:2023/6/24 10:26:48 訪問次數(shù):18
Nexperia顯示模塊能優(yōu)化設(shè)計,降低手機在待機模式的總功耗,大約為20%到30%.
它包括Philips的Nexperia無RAM的移動圖像處理器(PNX4000)和單片薄膜晶體管(TFT)彩色顯示控制器(PCF8881).
Nexperia顯示模塊的驅(qū)動方案有一系列的創(chuàng)新,包括點陣反轉(zhuǎn),共同電壓調(diào)制和隔行方案,把這些性能以低功耗方式增加到前屏性能,給手機用戶延長電池壽命2-4%.
Nexperia顯示模塊包括所有的照相機數(shù)據(jù)處理,有單一接口到基帶處理器.
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-7
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續(xù)漏極電流: 160 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.7 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 4.4 mm
長度: 10 mm
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 9.25 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
下降時間: 30 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 51 ns
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 75 ns
典型接通延遲時間: 20 ns
零件號別名: IPB160N04S2L03XT SP000218153 IPB160N04S2L03ATMA1
單位重量: 1.600 g

單芯片4D成像雷達(dá),其測量距離可達(dá)300米。該4D成像雷達(dá)芯片還提供180°視場角,無需外部處理器即可工作。4D成像雷達(dá)芯片的“4D”特性指的是該芯片能夠測量距離、相對速度,以及物體的方位和相對于道路的高度。
48天線MIMO陣列支持該新平臺,同時該平臺也符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)和ASIL-B標(biāo)準(zhǔn)。
器件有很靈活的數(shù)字接口,工作在兩種標(biāo)準(zhǔn)并行端口,串行外設(shè)接口(SPI)和有3條數(shù)據(jù)線(VECANA01模式)的專用串行接口.ADS7869很容易和大多數(shù)DSP或MCU接口.
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
http://yushuo.51dzw.com深圳市裕碩科技有限公司
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它包括Philips的Nexperia無RAM的移動圖像處理器(PNX4000)和單片薄膜晶體管(TFT)彩色顯示控制器(PCF8881).
Nexperia顯示模塊的驅(qū)動方案有一系列的創(chuàng)新,包括點陣反轉(zhuǎn),共同電壓調(diào)制和隔行方案,把這些性能以低功耗方式增加到前屏性能,給手機用戶延長電池壽命2-4%.
Nexperia顯示模塊包括所有的照相機數(shù)據(jù)處理,有單一接口到基帶處理器.
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-7
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續(xù)漏極電流: 160 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.7 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 4.4 mm
長度: 10 mm
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 9.25 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
下降時間: 30 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 51 ns
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 75 ns
典型接通延遲時間: 20 ns
零件號別名: IPB160N04S2L03XT SP000218153 IPB160N04S2L03ATMA1
單位重量: 1.600 g

單芯片4D成像雷達(dá),其測量距離可達(dá)300米。該4D成像雷達(dá)芯片還提供180°視場角,無需外部處理器即可工作。4D成像雷達(dá)芯片的“4D”特性指的是該芯片能夠測量距離、相對速度,以及物體的方位和相對于道路的高度。
48天線MIMO陣列支持該新平臺,同時該平臺也符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)和ASIL-B標(biāo)準(zhǔn)。
器件有很靈活的數(shù)字接口,工作在兩種標(biāo)準(zhǔn)并行端口,串行外設(shè)接口(SPI)和有3條數(shù)據(jù)線(VECANA01模式)的專用串行接口.ADS7869很容易和大多數(shù)DSP或MCU接口.
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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