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QE for Capacitive Touch電容式觸控支持工具共同使用

發(fā)布時(shí)間:2021/10/4 18:06:00 訪問(wèn)次數(shù):219

客戶可將全新MCU與e2 studio集成開(kāi)發(fā)環(huán)境、Smart Configurator代碼生成工具，和QE for Capacitive Touch電容式觸控支持工具共同使用，以縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間、降低總體成本并提高軟件質(zhì)量。

瑞薩將RX140 MCU和配套的模擬和功率器件相組合，推出完整的防水浴室控制面板解決方案，可實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的用戶界面功能，并兼?zhèn)湟子谑褂玫臅r(shí)尚設(shè)計(jì)。

該解決方案是瑞薩“成功產(chǎn)品組合”之一——“成功產(chǎn)品組合”由互補(bǔ)的模擬+電源+嵌入式處理器產(chǎn)品構(gòu)成，作為經(jīng)驗(yàn)證的完整解決方案，旨在幫助客戶加速設(shè)計(jì)進(jìn)程并縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。

制造商:Infineon產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT)安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOT-23-3晶體管極性:NPN配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:45 V集電極—基極電壓 VCBO:50 V發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V最大直流電集電極電流:500 mAPd-功率耗散:330 mW增益帶寬產(chǎn)品fT:100 MHz最小工作溫度:- 65 C最大工作溫度:+ 150 C高度:1 mm長(zhǎng)度:2.9 mm技術(shù):Si寬度:1.3 mm商標(biāo):Infineon Technologies集電極連續(xù)電流:100 mA產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors子類別:Transistors單位重量:1.438 g

NAND閃存接口支持最大的8pcs數(shù)據(jù)閃存芯片,32Mb到4Gb NAND閃存卡,支持緩存讀指令和硬件ECC產(chǎn)生和查證,

支持外接串行EEPROM接口,

特殊用途的6個(gè)GPIO,

采用0.22um低功耗CMOS工藝制造,128引腳LQFP封裝(14x14x1.4mm).

新的PIC16F737/747/767/777器件,采用三種增強(qiáng)的NanoWatt技術(shù)模式,允許控制整個(gè)系統(tǒng)的功耗.


(素材來(lái)源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）


客戶可將全新MCU與e2 studio集成開(kāi)發(fā)環(huán)境、Smart Configurator代碼生成工具，和QE for Capacitive Touch電容式觸控支持工具共同使用，以縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間、降低總體成本并提高軟件質(zhì)量。

瑞薩將RX140 MCU和配套的模擬和功率器件相組合，推出完整的防水浴室控制面板解決方案，可實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的用戶界面功能，并兼?zhèn)湟子谑褂玫臅r(shí)尚設(shè)計(jì)。

該解決方案是瑞薩“成功產(chǎn)品組合”之一——“成功產(chǎn)品組合”由互補(bǔ)的模擬+電源+嵌入式處理器產(chǎn)品構(gòu)成，作為經(jīng)驗(yàn)證的完整解決方案，旨在幫助客戶加速設(shè)計(jì)進(jìn)程并縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。

制造商:Infineon產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT)安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOT-23-3晶體管極性:NPN配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:45 V集電極—基極電壓 VCBO:50 V發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V最大直流電集電極電流:500 mAPd-功率耗散:330 mW增益帶寬產(chǎn)品fT:100 MHz最小工作溫度:- 65 C最大工作溫度:+ 150 C高度:1 mm長(zhǎng)度:2.9 mm技術(shù):Si寬度:1.3 mm商標(biāo):Infineon Technologies集電極連續(xù)電流:100 mA產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors子類別:Transistors單位重量:1.438 g

NAND閃存接口支持最大的8pcs數(shù)據(jù)閃存芯片,32Mb到4Gb NAND閃存卡,支持緩存讀指令和硬件ECC產(chǎn)生和查證,

支持外接串行EEPROM接口,

特殊用途的6個(gè)GPIO,

采用0.22um低功耗CMOS工藝制造,128引腳LQFP封裝(14x14x1.4mm).

新的PIC16F737/747/767/777器件,采用三種增強(qiáng)的NanoWatt技術(shù)模式,允許控制整個(gè)系統(tǒng)的功耗.


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