雷達芯片吉比特全雙工串行收發(fā)器和高速信號處理區(qū)塊的器件
發(fā)布時間:2021/10/7 16:26:48 訪問次數(shù):198
XC2VP100的邏輯單元有99216個,RAM為7992Kb,444個18x18乘法器以及12個數(shù)字時鐘管理區(qū)塊和1164個用戶I/O端口.
此外,還有2個PowerPC處理器和20個3.125Gbps RocketIO收發(fā)器.
Xilinx是提供嵌入了PowerPC技術(shù)和支持622MHz-3.125Gbps高速串行I/O功能的工業(yè)級器件唯一供應(yīng)商.
這些有多個PowerPC CPU,幾個吉比特全雙工串行收發(fā)器和高速信號處理區(qū)塊的器件,能提供當今系統(tǒng)設(shè)計所要求的無與倫比的性能和價值,而不增加費用.
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續(xù)漏極電流: 120 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 176 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
商標名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 4.4 mm
長度: 10 mm
系列: OptiMOS-T2
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 9.25 mm
商標: Infineon Technologies
下降時間: 36 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 16 ns
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 41 ns
典型接通延遲時間: 34 ns
零件號別名: SP000705700 IPB12N4S41XT IPB120N04S401ATMA1
單位重量: 4 g
雷達的最基本形式是發(fā)射信號并測量物體反射的信號,以顯示物體的存在和距離。
基于集成電路學(xué),雷達也能掃描周圍環(huán)境。因此,雷達已經(jīng)成為防撞等應(yīng)用的關(guān)鍵傳感器,憑借其可在黑暗和不利的天氣條件下工作,以及相對經(jīng)濟等優(yōu)勢特征。
在停車場等低速環(huán)境中,該雷達芯片可利用超短程和短程雷達成像檢測,來掃描周圍的行人和障礙物。在更遠距離情境中,該雷達芯片可實現(xiàn)ADAS應(yīng)用,如自適應(yīng)巡航控制、盲點檢測、碰撞預(yù)警、交叉交通警報以及自動緊急制動等。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
XC2VP100的邏輯單元有99216個,RAM為7992Kb,444個18x18乘法器以及12個數(shù)字時鐘管理區(qū)塊和1164個用戶I/O端口.
此外,還有2個PowerPC處理器和20個3.125Gbps RocketIO收發(fā)器.
Xilinx是提供嵌入了PowerPC技術(shù)和支持622MHz-3.125Gbps高速串行I/O功能的工業(yè)級器件唯一供應(yīng)商.
這些有多個PowerPC CPU,幾個吉比特全雙工串行收發(fā)器和高速信號處理區(qū)塊的器件,能提供當今系統(tǒng)設(shè)計所要求的無與倫比的性能和價值,而不增加費用.
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續(xù)漏極電流: 120 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 176 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
商標名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 4.4 mm
長度: 10 mm
系列: OptiMOS-T2
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 9.25 mm
商標: Infineon Technologies
下降時間: 36 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 16 ns
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 41 ns
典型接通延遲時間: 34 ns
零件號別名: SP000705700 IPB12N4S41XT IPB120N04S401ATMA1
單位重量: 4 g
雷達的最基本形式是發(fā)射信號并測量物體反射的信號,以顯示物體的存在和距離。
基于集成電路學(xué),雷達也能掃描周圍環(huán)境。因此,雷達已經(jīng)成為防撞等應(yīng)用的關(guān)鍵傳感器,憑借其可在黑暗和不利的天氣條件下工作,以及相對經(jīng)濟等優(yōu)勢特征。
在停車場等低速環(huán)境中,該雷達芯片可利用超短程和短程雷達成像檢測,來掃描周圍的行人和障礙物。在更遠距離情境中,該雷達芯片可實現(xiàn)ADAS應(yīng)用,如自適應(yīng)巡航控制、盲點檢測、碰撞預(yù)警、交叉交通警報以及自動緊急制動等。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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