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2ASC-12A2HP柵極驅(qū)動器為基于碳化硅MOSFET的電源系統(tǒng)

發(fā)布時(shí)間:2021/10/9 17:58:43 訪問次數(shù):118

一款全新的1200V可直接用于生產(chǎn)的數(shù)字柵極驅(qū)動器,為系統(tǒng)開發(fā)人員提供多層級的控制和保護(hù),以實(shí)現(xiàn)安全、可靠的運(yùn)行并滿足嚴(yán)格的運(yùn)輸要求。

為確?煽、安全的運(yùn)行,2ASC-12A2HP柵極驅(qū)動器為基于碳化硅MOSFET的電源系統(tǒng)提供了多層級的控制和更高的保護(hù)水平。

與傳統(tǒng)柵極驅(qū)動器相比,AgileSwitch柵極驅(qū)動器產(chǎn)品的關(guān)鍵性能包括抑制漏極-源極電壓(Vds)過沖的能力,最高可達(dá)80%,可將開關(guān)損耗降低多達(dá)50%。

制造商:Cirrus Logic產(chǎn)品種類:接口—CODECRoHS: 產(chǎn)品:Audio CODECs類型:Audio CODEC, Multi Channel分辨率:24 bit轉(zhuǎn)換速率:192 kHz接口類型:SerialADC 數(shù)量:2 ADCDAC 數(shù)量:3 DAC工作電源電壓:2.97 V to 5.25 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:QFN- 48封裝:Tray系列:商標(biāo):Cirrus LogicTHD + 噪聲:- 88 dB ADC/- 94 dB DAC濕度敏感性:Yes工作電源電流:10 mA產(chǎn)品類型:CODECs490子類別:Interface ICs單位重量:1.617 g

M58WR064ET和M58WR064EB都有一個(gè)非對稱的塊體系結(jié)構(gòu)。

每個(gè)器件都由可以再細(xì)分成135個(gè)塊的4兆位的片構(gòu)成,每片含有8個(gè)32千字的主塊,這種片共有15片,另外還有一個(gè)含有8個(gè)4千字的參數(shù)塊和7個(gè)32千字主塊的參數(shù)片。

在M58WR064ET 中,參數(shù)塊位于存儲器地址空間的上部,而在M58WR064EB中,參數(shù)塊位于存儲器地址空間的下部。

這兩款產(chǎn)品的開發(fā)成功,證實(shí)意法半導(dǎo)體 (ST)堅(jiān)持用創(chuàng)新解決方案滿足市場對高級應(yīng)用的需求的承諾。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

一款全新的1200V可直接用于生產(chǎn)的數(shù)字柵極驅(qū)動器,為系統(tǒng)開發(fā)人員提供多層級的控制和保護(hù),以實(shí)現(xiàn)安全、可靠的運(yùn)行并滿足嚴(yán)格的運(yùn)輸要求。

為確?煽、安全的運(yùn)行,2ASC-12A2HP柵極驅(qū)動器為基于碳化硅MOSFET的電源系統(tǒng)提供了多層級的控制和更高的保護(hù)水平。

與傳統(tǒng)柵極驅(qū)動器相比,AgileSwitch柵極驅(qū)動器產(chǎn)品的關(guān)鍵性能包括抑制漏極-源極電壓(Vds)過沖的能力,最高可達(dá)80%,可將開關(guān)損耗降低多達(dá)50%。

制造商:Cirrus Logic產(chǎn)品種類:接口—CODECRoHS: 產(chǎn)品:Audio CODECs類型:Audio CODEC, Multi Channel分辨率:24 bit轉(zhuǎn)換速率:192 kHz接口類型:SerialADC 數(shù)量:2 ADCDAC 數(shù)量:3 DAC工作電源電壓:2.97 V to 5.25 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:QFN- 48封裝:Tray系列:商標(biāo):Cirrus LogicTHD + 噪聲:- 88 dB ADC/- 94 dB DAC濕度敏感性:Yes工作電源電流:10 mA產(chǎn)品類型:CODECs490子類別:Interface ICs單位重量:1.617 g

M58WR064ET和M58WR064EB都有一個(gè)非對稱的塊體系結(jié)構(gòu)。

每個(gè)器件都由可以再細(xì)分成135個(gè)塊的4兆位的片構(gòu)成,每片含有8個(gè)32千字的主塊,這種片共有15片,另外還有一個(gè)含有8個(gè)4千字的參數(shù)塊和7個(gè)32千字主塊的參數(shù)片。

在M58WR064ET 中,參數(shù)塊位于存儲器地址空間的上部,而在M58WR064EB中,參數(shù)塊位于存儲器地址空間的下部。

這兩款產(chǎn)品的開發(fā)成功,證實(shí)意法半導(dǎo)體 (ST)堅(jiān)持用創(chuàng)新解決方案滿足市場對高級應(yīng)用的需求的承諾。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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