齊納二極管保護柵使靜電放電(ESD)保護超過工業(yè)上的要求
發(fā)布時間:2021/10/9 12:29:52 訪問次數(shù):257
R&S VSESIM-VSS信號創(chuàng)建和分析工具,支持所有主要標(biāo)準(zhǔn),如5G以及最新的Wi-Fi演進等。
這套聯(lián)合解決方案將信號生成、設(shè)計仿真和信號分析結(jié)合在一起,充分發(fā)揮兩家公司廣受歡迎的成熟解決方案的優(yōu)勢。
因此,開發(fā)和設(shè)計工程師得到一套經(jīng)過優(yōu)化的工具,幫助他們在開發(fā)過程中更早地解決設(shè)計難題。
R&S公司的 R&S VSESIM-VSS 經(jīng)過專門設(shè)計,通過在信號鏈路中加入實際信號,從而擴展 VSS 軟件的功能,提高仿真精度并簡化設(shè)計流程。
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
封裝: Reel
高度: 4.4 mm
長度: 10 mm
寬度: 9.25 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
產(chǎn)品類型: MOSFET
子類別: MOSFETs
單位重量: 4 g
雖然Micro-8LL封裝更小,但是不影響性能。齊納二極管保護柵使靜電放電(ESD)保護超過工業(yè)上的要求。柵二極管集成到FET,電路中不用另接分立的背對背齊納二極管。
特別要提的是,該器件能經(jīng)受住4000V人體模擬(HBM)電壓,非常適合用在手持產(chǎn)品中。
為了消除開關(guān)操作造成的屏幕噪聲,FS8S0765RC會根據(jù)外部同步信號控制其內(nèi)部MOSFET的開通時間。
FS8S0765RC電源開關(guān)還擁有集成的固定頻率振蕩器、低電壓鎖住、優(yōu)化的前沿屏蔽功能和柵極開/關(guān)驅(qū)動電路,以及用于環(huán)路補償和故障保護電路的具有精確的溫度補償?shù)碾娏髟础?/span>
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
R&S VSESIM-VSS信號創(chuàng)建和分析工具,支持所有主要標(biāo)準(zhǔn),如5G以及最新的Wi-Fi演進等。
這套聯(lián)合解決方案將信號生成、設(shè)計仿真和信號分析結(jié)合在一起,充分發(fā)揮兩家公司廣受歡迎的成熟解決方案的優(yōu)勢。
因此,開發(fā)和設(shè)計工程師得到一套經(jīng)過優(yōu)化的工具,幫助他們在開發(fā)過程中更早地解決設(shè)計難題。
R&S公司的 R&S VSESIM-VSS 經(jīng)過專門設(shè)計,通過在信號鏈路中加入實際信號,從而擴展 VSS 軟件的功能,提高仿真精度并簡化設(shè)計流程。
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
封裝: Reel
高度: 4.4 mm
長度: 10 mm
寬度: 9.25 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
產(chǎn)品類型: MOSFET
子類別: MOSFETs
單位重量: 4 g
雖然Micro-8LL封裝更小,但是不影響性能。齊納二極管保護柵使靜電放電(ESD)保護超過工業(yè)上的要求。柵二極管集成到FET,電路中不用另接分立的背對背齊納二極管。
特別要提的是,該器件能經(jīng)受住4000V人體模擬(HBM)電壓,非常適合用在手持產(chǎn)品中。
為了消除開關(guān)操作造成的屏幕噪聲,FS8S0765RC會根據(jù)外部同步信號控制其內(nèi)部MOSFET的開通時間。
FS8S0765RC電源開關(guān)還擁有集成的固定頻率振蕩器、低電壓鎖住、優(yōu)化的前沿屏蔽功能和柵極開/關(guān)驅(qū)動電路,以及用于環(huán)路補償和故障保護電路的具有精確的溫度補償?shù)碾娏髟础?/span>
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