IRLR7821的柵電荷降低30%很適合用作控制MOSFET
發(fā)布時(shí)間:2021/10/12 22:54:06 訪問(wèn)次數(shù):1108
IRLR7833也可用在絕緣轉(zhuǎn)換器的次級(jí)同步整流，它的RDS(on)降低50%，很適合用作同步MOSFET。而IRLR7821的柵電荷降低30%，很適合用作控制MOSFET。
這兩個(gè)新型MOSFET設(shè)計(jì)用在服務(wù)器，臺(tái)式計(jì)算機(jī)，筆記本電腦以及網(wǎng)絡(luò)和通信設(shè)備的點(diǎn)負(fù)載(POL)轉(zhuǎn)換器中的同步降壓轉(zhuǎn)換器。
新器件有20V柵額定電壓，有更好的耐用性。在臺(tái)式計(jì)算機(jī)和VRM設(shè)計(jì)以及筆記本電腦的應(yīng)用中，每相需要高達(dá)20A的電流，D-Pak封裝廣泛應(yīng)用在同步FET中。
Agilent在單片CMOS芯片上集成了多于50個(gè)2.5Gbps發(fā)送和接收通道，以后又生產(chǎn)了有36個(gè)多速率SerDes通道的ASIC，工作在高達(dá)3.125Gbps。
Agilent的新型嵌入式SerDes核有業(yè)界最低的抖動(dòng)性能。抖動(dòng)性能衡量網(wǎng)絡(luò)元件工作的好壞-抖動(dòng)越低越好。網(wǎng)絡(luò)中引起的任何相位變化或抖動(dòng)都能降低傳輸?shù)馁|(zhì)量，碼誤差和數(shù)據(jù)丟失。
HEXFET30V功率MOSFETIRLR7833和IRLR7821，采用D-Pak引腳，有業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻RDS(on)，和同類產(chǎn)品相比，使得它在DC/DC轉(zhuǎn)換器中的效率提高2.5%，元件數(shù)量減少25%。
(素材來(lái)源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）
IRLR7833也可用在絕緣轉(zhuǎn)換器的次級(jí)同步整流，它的RDS(on)降低50%，很適合用作同步MOSFET。而IRLR7821的柵電荷降低30%，很適合用作控制MOSFET。
這兩個(gè)新型MOSFET設(shè)計(jì)用在服務(wù)器，臺(tái)式計(jì)算機(jī)，筆記本電腦以及網(wǎng)絡(luò)和通信設(shè)備的點(diǎn)負(fù)載(POL)轉(zhuǎn)換器中的同步降壓轉(zhuǎn)換器。
新器件有20V柵額定電壓，有更好的耐用性。在臺(tái)式計(jì)算機(jī)和VRM設(shè)計(jì)以及筆記本電腦的應(yīng)用中，每相需要高達(dá)20A的電流，D-Pak封裝廣泛應(yīng)用在同步FET中。
Agilent在單片CMOS芯片上集成了多于50個(gè)2.5Gbps發(fā)送和接收通道，以后又生產(chǎn)了有36個(gè)多速率SerDes通道的ASIC，工作在高達(dá)3.125Gbps。
Agilent的新型嵌入式SerDes核有業(yè)界最低的抖動(dòng)性能。抖動(dòng)性能衡量網(wǎng)絡(luò)元件工作的好壞-抖動(dòng)越低越好。網(wǎng)絡(luò)中引起的任何相位變化或抖動(dòng)都能降低傳輸?shù)馁|(zhì)量，碼誤差和數(shù)據(jù)丟失。
HEXFET30V功率MOSFETIRLR7833和IRLR7821，采用D-Pak引腳，有業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻RDS(on)，和同類產(chǎn)品相比，使得它在DC/DC轉(zhuǎn)換器中的效率提高2.5%，元件數(shù)量減少25%。
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