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GFP LAPS或LAPF協(xié)議進行解壓并傳送到每一個以太網(wǎng)端口

發(fā)布時間:2021/10/13 12:37:06 訪問次數(shù):254

通過AEC-Q200認證的新系列厚膜片式電阻---RCV-AT e3，工作電壓達3 kV，外形尺寸為2010和2512。

RCV-AT e3系列器件阻值范圍從100 kW到100 MW，公差分別為± 1 %和± 5 %，溫度系數(shù)為± 100 ppm/K和± 200 ppm/K。

電阻額定功率為1.0 W，電阻電壓系數(shù)低至25 ppm/V，工作溫度為-55 °C至+155 °C。

器件符合 RoHS標準，無鹵素，適合在自動貼片機上采用符合IEC 61760-1的波峰焊、回流焊或氣相焊工藝加工。

制造商:Micron Technology產(chǎn)品種類:動態(tài)隨機存取存儲器RoHS: 詳細信息類型:SDRAM Mobile - LPDDR4安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:VFBGA-200數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit組織:256 M x 32存儲容量:8 Gbit系列:MT53E封裝:Reel商標:Micron產(chǎn)品類型:DRAM工廠包裝數(shù)量:2000子類別:Memory & Data Storage制造商:Micron Technology產(chǎn)品種類:動態(tài)隨機存取存儲器RoHS: 詳細信息類型:SDRAM Mobile - LPDDR4安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:VFBGA-200數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit組織:256 M x 32存儲容量:8 Gbit系列:MT53E封裝:Reel商標:Micron產(chǎn)品類型:DRAM工廠包裝數(shù)量:2000子類別:Memory & Data Storage制造商:Micron Technology產(chǎn)品種類:動態(tài)隨機存取存儲器RoHS: 詳細信息類型:SDRAM Mobile - LPDDR4安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:VFBGA-200數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit組織:256 M x 32存儲容量:8 Gbit系列:MT53E封裝:Reel商標:Micron產(chǎn)品類型:DRAM工廠包裝數(shù)量:2000子類別:Memory & Data Storage

利用外接SDRAM，對準和差分延時補償實現(xiàn)接收的低階和高階虛擬連接有效載荷。而以太網(wǎng)幀采用GFP，LAPS或LAPF協(xié)議進行解壓，并傳送到每一個以太網(wǎng)端口。

對于低階和高階兩種虛擬有效載荷，提供基于LCAS處理的不同標準，允許進行無聲響的動態(tài)帶寬調(diào)整。此外，它還支持全速以太網(wǎng)傳輸，額外用戶的以太網(wǎng)傳輸以及防止幀丟失的反向壓力機制。

該芯片可用在SONET/SDH增/減和終端復(fù)接器，多服務(wù)接入平臺，下一代以太網(wǎng)交換，IP DSLAM和綜合接入設(shè)備。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）

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電阻額定功率為1.0 W，電阻電壓系數(shù)低至25 ppm/V，工作溫度為-55 °C至+155 °C。

器件符合 RoHS標準，無鹵素，適合在自動貼片機上采用符合IEC 61760-1的波峰焊、回流焊或氣相焊工藝加工。

制造商:Micron Technology產(chǎn)品種類:動態(tài)隨機存取存儲器RoHS: 詳細信息類型:SDRAM Mobile - LPDDR4安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:VFBGA-200數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit組織:256 M x 32存儲容量:8 Gbit系列:MT53E封裝:Reel商標:Micron產(chǎn)品類型:DRAM工廠包裝數(shù)量:2000子類別:Memory & Data Storage制造商:Micron Technology產(chǎn)品種類:動態(tài)隨機存取存儲器RoHS: 詳細信息類型:SDRAM Mobile - LPDDR4安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:VFBGA-200數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit組織:256 M x 32存儲容量:8 Gbit系列:MT53E封裝:Reel商標:Micron產(chǎn)品類型:DRAM工廠包裝數(shù)量:2000子類別:Memory & Data Storage制造商:Micron Technology產(chǎn)品種類:動態(tài)隨機存取存儲器RoHS: 詳細信息類型:SDRAM Mobile - LPDDR4安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:VFBGA-200數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit組織:256 M x 32存儲容量:8 Gbit系列:MT53E封裝:Reel商標:Micron產(chǎn)品類型:DRAM工廠包裝數(shù)量:2000子類別:Memory & Data Storage

利用外接SDRAM，對準和差分延時補償實現(xiàn)接收的低階和高階虛擬連接有效載荷。而以太網(wǎng)幀采用GFP，LAPS或LAPF協(xié)議進行解壓，并傳送到每一個以太網(wǎng)端口。

對于低階和高階兩種虛擬有效載荷，提供基于LCAS處理的不同標準，允許進行無聲響的動態(tài)帶寬調(diào)整。此外，它還支持全速以太網(wǎng)傳輸，額外用戶的以太網(wǎng)傳輸以及防止幀丟失的反向壓力機制。

該芯片可用在SONET/SDH增/減和終端復(fù)接器，多服務(wù)接入平臺，下一代以太網(wǎng)交換，IP DSLAM和綜合接入設(shè)備。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）

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