單電源有高噪音HBT和雙電源PHEMT及GaAs HFET(異質(zhì)結(jié)構(gòu)FET)
發(fā)布時間:2021/10/13 20:59:31 訪問次數(shù):1253
每種IC有電源,地和重置輸出引腳.當出現(xiàn)瞬態(tài)，電壓起伏，短路狀態(tài)或其它電源問題，輸出重置信號。
BD48XXG和BD49XXG CMOS 重置IC能以CMOS或N-MOS漏極開路輸出和從-0.3V到10V間的電源供電。它的功耗額定值為100mW，工作溫度從-40 到85oC。
阻值范圍包括有50M, 75M, 100M, 150M和200 M歐姆,額定電壓為5KV(50M和75M),10KV(100M和150M)和15KV(150M和200M)，誤差為0.1%。電壓系數(shù)也非常低。
直經(jīng)為0.350英吋，高度有1.25,2.0和3.0英吋三種規(guī)格。
單電源工作的E-pHEMT器件的唯一供應(yīng)商。Agilent公司的新型E-pHENT器件具有單電源工作，高電源效率和超常的RF性能，是替代單電源有高噪音的HBT和雙電源PHEMT以及GaAs HFET(異質(zhì)結(jié)構(gòu)FET)器件的理想選擇。
ATF-511P8 E-pHEMT FET封裝在2.0x2.0x0.75mm緊湊的8引腳工業(yè)標準的無引線塑料芯片承載JEDEC DRP-N LPCC封裝里。
FET有很高的可靠性,裝備上溫度為85度C的預測的單點MTTF(平均失效時間)超過300年。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
每種IC有電源,地和重置輸出引腳.當出現(xiàn)瞬態(tài)，電壓起伏，短路狀態(tài)或其它電源問題，輸出重置信號。
BD48XXG和BD49XXG CMOS 重置IC能以CMOS或N-MOS漏極開路輸出和從-0.3V到10V間的電源供電。它的功耗額定值為100mW，工作溫度從-40 到85oC。
阻值范圍包括有50M, 75M, 100M, 150M和200 M歐姆,額定電壓為5KV(50M和75M),10KV(100M和150M)和15KV(150M和200M)，誤差為0.1%。電壓系數(shù)也非常低。
直經(jīng)為0.350英吋，高度有1.25,2.0和3.0英吋三種規(guī)格。
單電源工作的E-pHEMT器件的唯一供應(yīng)商。Agilent公司的新型E-pHENT器件具有單電源工作，高電源效率和超常的RF性能，是替代單電源有高噪音的HBT和雙電源PHEMT以及GaAs HFET(異質(zhì)結(jié)構(gòu)FET)器件的理想選擇。
ATF-511P8 E-pHEMT FET封裝在2.0x2.0x0.75mm緊湊的8引腳工業(yè)標準的無引線塑料芯片承載JEDEC DRP-N LPCC封裝里。
FET有很高的可靠性,裝備上溫度為85度C的預測的單點MTTF(平均失效時間)超過300年。
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