電流輸出可編程設(shè)定為額定值的110%。如果存在主電源，則另一個5V/2A備用電源始終接通。

該產(chǎn)品符合工業(yè)、ITE和醫(yī)療用途的各種EMC和安規(guī)標(biāo)準(zhǔn)，簡化了與終端應(yīng)用程序的集成。具體而言，HPA1K5符合EMC輻射的EN55011/EN55032安規(guī)標(biāo)準(zhǔn)，EMC抗擾度的EN61000-4-x標(biāo)準(zhǔn)，現(xiàn)場安全的IEC62368-1第2版標(biāo)準(zhǔn)。

制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-26-6 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:20 V Id-連續(xù)漏極電流:3.1 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:225 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 12 V, + 12 V Vgs th-柵源極閾值電壓:700 mV Qg-柵極電荷:3 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.1 W 通道模式:Enhancement 封裝:Reel 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 商標(biāo):Diodes Incorporated 配置:Single 下降時間:5.21 ns 高度:1.3 mm 長度:3.1 mm 產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:5.21 ns 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 晶體管類型:1 N-Channel 類型:MOSFET 典型關(guān)閉延遲時間:7.47 ns 典型接通延遲時間:2.49 ns 寬度:1.8 mm 單位重量:15 mg

每個都有給LNB加電的13V或18V DC輸出電壓。也能對電纜長度進(jìn)行電壓補(bǔ)償。此外，內(nèi)部的22kHz音調(diào)發(fā)生器能對LNB加電和天線控制提供不應(yīng)求DiSEqC 1.1編碼的功能。

根據(jù)要求也能對輻射的數(shù)據(jù)包括TID，SEE，中子和瞬時劑量進(jìn)行測量。

ISL6405有兩種封裝：28引腳EPSOIC和32焊墊的QFN封裝，每通道提供750mA輸出電流，效率超過92%，而且不需要熱沉。

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