高速度U-MOS III和鋁絲鍵合改善導通電阻和柵極電荷
發(fā)布時間:2021/10/29 21:15:05 訪問次數(shù):135
Renesas ElectronicsFemtoClock2高性能時鐘頻率合成器。該系列合成器可提供64fs RMS的超低抖動性能,可安裝在需要多個100fs以下抖動性能參考時鐘的開關(guān)、ASIC、FPGA或PHY附近。
此外,這些高性能器件還可用作OTU3/OTU4映射所需的可調(diào)OTN參考時鐘,也可用作可編程光纖模塊的參考時鐘。
Renesas FemtoClock2合成器系列包含RC22504A合成器以及RC32504A抖動衰減器與合成器。這些器件還可以作為DCO來使用,用于頻率裕量調(diào)節(jié)或OTN時鐘應(yīng)用。
剪切帶(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷帶
零件狀態(tài)在售 核心處理器MSP430 內(nèi)核規(guī)格16 位 速度16MHz 連接能力I2C,IrDA,LINbus,SCI,SPI,UART/USART 外設(shè)欠壓檢測/復位,DMA,POR,PWM,WDT I/O 數(shù)16 程序存儲容量16KB(16K x 8) 程序存儲器類型閃存 EEPROM 容量- RAM 大小512 x 8 電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)1.8V ~ 3.6V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器A/D 8x10b 振蕩器類型內(nèi)部 工作溫度-40°C ~ 85°C(TA) 安裝類型表面貼裝型 封裝/外殼20-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝20-TSSOP
功率效率的MOSFET TPC8017-H (15-A)和TPC8018-H (18-A),它采用超高速度U-MOS III和鋁絲鍵合,以改善導通電阻和柵極電荷。
采用超聲鍵合方法來代替焊接,器件的RDS(on)降低了34%,QSW降低了14%。
為了和新P4配合,推出的芯片組在高達2GB容量時提供DDR333/266存儲器,支持533MHz系統(tǒng)總線。852GME芯片組具有用于3D圖像的Intel超級圖形2技術(shù),提供生動的清晰圖像的3D圖像。0.5mm厚的子顯示器是超級扭曲向列(STN)彩色LCD,用來顯示系統(tǒng)信息和用作照相機的尋景器。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
Renesas ElectronicsFemtoClock2高性能時鐘頻率合成器。該系列合成器可提供64fs RMS的超低抖動性能,可安裝在需要多個100fs以下抖動性能參考時鐘的開關(guān)、ASIC、FPGA或PHY附近。
此外,這些高性能器件還可用作OTU3/OTU4映射所需的可調(diào)OTN參考時鐘,也可用作可編程光纖模塊的參考時鐘。
Renesas FemtoClock2合成器系列包含RC22504A合成器以及RC32504A抖動衰減器與合成器。這些器件還可以作為DCO來使用,用于頻率裕量調(diào)節(jié)或OTN時鐘應(yīng)用。
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零件狀態(tài)在售 核心處理器MSP430 內(nèi)核規(guī)格16 位 速度16MHz 連接能力I2C,IrDA,LINbus,SCI,SPI,UART/USART 外設(shè)欠壓檢測/復位,DMA,POR,PWM,WDT I/O 數(shù)16 程序存儲容量16KB(16K x 8) 程序存儲器類型閃存 EEPROM 容量- RAM 大小512 x 8 電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)1.8V ~ 3.6V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器A/D 8x10b 振蕩器類型內(nèi)部 工作溫度-40°C ~ 85°C(TA) 安裝類型表面貼裝型 封裝/外殼20-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝20-TSSOP
功率效率的MOSFET TPC8017-H (15-A)和TPC8018-H (18-A),它采用超高速度U-MOS III和鋁絲鍵合,以改善導通電阻和柵極電荷。
采用超聲鍵合方法來代替焊接,器件的RDS(on)降低了34%,QSW降低了14%。
為了和新P4配合,推出的芯片組在高達2GB容量時提供DDR333/266存儲器,支持533MHz系統(tǒng)總線。852GME芯片組具有用于3D圖像的Intel超級圖形2技術(shù),提供生動的清晰圖像的3D圖像。0.5mm厚的子顯示器是超級扭曲向列(STN)彩色LCD,用來顯示系統(tǒng)信息和用作照相機的尋景器。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)