低功耗后臺(tái)自主模式(LPBAM)需要2V-3V級(jí)的低電壓充電
發(fā)布時(shí)間:2021/10/30 13:12:04 訪問(wèn)次數(shù):428
先進(jìn)的40nm 制造工藝的 STM32 MCU，STM32U5 系列的功能集成度、內(nèi)存容量、動(dòng)態(tài)功耗和待機(jī)功耗均優(yōu)于市場(chǎng)上的替代產(chǎn)品。
新產(chǎn)品還增加了新的節(jié)能功能，其中包括低功耗后臺(tái)自主模式 (LPBAM)，在該模式下，直接內(nèi)存訪問(wèn) (DMA)控制器和主要外設(shè)在沒(méi)有 CPU 干預(yù)的情況下自主運(yùn)行。
升級(jí)的 START Accelerator™加速器，可以關(guān)閉閑置未用的 MCU 存儲(chǔ)器，以及可選的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和低壓差 (LDO) 穩(wěn)壓器組合，在這些節(jié)能技術(shù)的加持下，動(dòng)態(tài)功耗降至 19μA/MHz以下。
由于可以設(shè)置CCCV*2充電的各項(xiàng)充電特性（充電電流、終止電流等），因此能夠?yàn)榇钶d新型二次電池的可穿戴設(shè)備和小而薄的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備提供理想的充電環(huán)境。
在小而薄的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等領(lǐng)域，對(duì)更安全、高密度的二次電池的需求高漲，促使采用新材料作為電解部分的全固態(tài)和半固態(tài)電池、改變了電極材料的電池等新型二次電池的開發(fā)進(jìn)程加速。
而另一方面，很多新型二次電池又小又薄，需要2V～3V級(jí)的低電壓充電，卻沒(méi)有可以支持寬電壓范圍的充電控制IC。
(素材來(lái)源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）
先進(jìn)的40nm 制造工藝的 STM32 MCU，STM32U5 系列的功能集成度、內(nèi)存容量、動(dòng)態(tài)功耗和待機(jī)功耗均優(yōu)于市場(chǎng)上的替代產(chǎn)品。
新產(chǎn)品還增加了新的節(jié)能功能，其中包括低功耗后臺(tái)自主模式 (LPBAM)，在該模式下，直接內(nèi)存訪問(wèn) (DMA)控制器和主要外設(shè)在沒(méi)有 CPU 干預(yù)的情況下自主運(yùn)行。
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由于可以設(shè)置CCCV*2充電的各項(xiàng)充電特性（充電電流、終止電流等），因此能夠?yàn)榇钶d新型二次電池的可穿戴設(shè)備和小而薄的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備提供理想的充電環(huán)境。
在小而薄的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等領(lǐng)域，對(duì)更安全、高密度的二次電池的需求高漲，促使采用新材料作為電解部分的全固態(tài)和半固態(tài)電池、改變了電極材料的電池等新型二次電池的開發(fā)進(jìn)程加速。
而另一方面，很多新型二次電池又小又薄，需要2V～3V級(jí)的低電壓充電，卻沒(méi)有可以支持寬電壓范圍的充電控制IC。
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