功率因素修正和二極管一起使用簡化電源和DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計
發(fā)布時間:2021/10/31 9:05:33 訪問次數(shù):123
單元件解決方案和基準電壓誤差選擇(0.5%,1%he12%)使工程師優(yōu)化空間和性能,滿足功率設(shè)計要求。
設(shè)計應(yīng)首先考慮采用FOD2471或FOD2742誤差放大器,它的功能等效于Fairchild的KA431并聯(lián)電壓調(diào)整器和CNY17F-3光耦合器,其溫度漂移系數(shù)最大為50 ppm/°C。
FOD2742是SOIC-8封裝,可用在空間受到限制的地方。而FOD2712或FOD2711最適合用在更低基準電壓的地方。所有這四種誤差放大器都能和Fairchild的功率開關(guān)(FPS)和其它Fairchild器件如MOSFET,功率因素修正(PFC)和二極管一起使用,簡化電源和DC/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計。
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續(xù)漏極電流: 70 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 5.3 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 32 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 58 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 9 ns
高度: 4.4 mm
長度: 10 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 10 ns
系列: XPB70N04
1000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時間: 7 ns
典型接通延遲時間: 8 ns
寬度: 9.25 mm
零件號別名: IPB70N04S4-06 SP000711476
單位重量: 4 g
由于高耐久性焊接不易拉伸,并且比傳統(tǒng)焊接施加了更高的應(yīng)力,所以高耐久性焊接對芯片組件施加了很大的負荷,且無法滿足現(xiàn)有貼片磁珠的可靠性要求。
MMZ1608-HE系列產(chǎn)品通過改進終端電極材料和電鍍工藝,提高了終端電極和電鍍之間的結(jié)合強度,使其成為在150℃環(huán)境下使用高耐久性焊接的理想選擇。
TDK將繼續(xù)擴大其緊湊尺寸和各種阻抗的產(chǎn)品陣容,以支持廣泛的汽車規(guī)格和設(shè)計。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
單元件解決方案和基準電壓誤差選擇(0.5%,1%he12%)使工程師優(yōu)化空間和性能,滿足功率設(shè)計要求。
設(shè)計應(yīng)首先考慮采用FOD2471或FOD2742誤差放大器,它的功能等效于Fairchild的KA431并聯(lián)電壓調(diào)整器和CNY17F-3光耦合器,其溫度漂移系數(shù)最大為50 ppm/°C。
FOD2742是SOIC-8封裝,可用在空間受到限制的地方。而FOD2712或FOD2711最適合用在更低基準電壓的地方。所有這四種誤差放大器都能和Fairchild的功率開關(guān)(FPS)和其它Fairchild器件如MOSFET,功率因素修正(PFC)和二極管一起使用,簡化電源和DC/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計。
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續(xù)漏極電流: 70 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 5.3 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 32 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 58 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 9 ns
高度: 4.4 mm
長度: 10 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 10 ns
系列: XPB70N04
1000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時間: 7 ns
典型接通延遲時間: 8 ns
寬度: 9.25 mm
零件號別名: IPB70N04S4-06 SP000711476
單位重量: 4 g
由于高耐久性焊接不易拉伸,并且比傳統(tǒng)焊接施加了更高的應(yīng)力,所以高耐久性焊接對芯片組件施加了很大的負荷,且無法滿足現(xiàn)有貼片磁珠的可靠性要求。
MMZ1608-HE系列產(chǎn)品通過改進終端電極材料和電鍍工藝,提高了終端電極和電鍍之間的結(jié)合強度,使其成為在150℃環(huán)境下使用高耐久性焊接的理想選擇。
TDK將繼續(xù)擴大其緊湊尺寸和各種阻抗的產(chǎn)品陣容,以支持廣泛的汽車規(guī)格和設(shè)計。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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