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nRF53®系列系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)補(bǔ)充組件而設(shè)計(jì)高可靠性貼片磁珠

發(fā)布時(shí)間:2021/10/31 9:08:06 訪問(wèn)次數(shù):361

可配置雙模降壓穩(wěn)壓器和集成電池充電器的專用電源管理 IC (PMIC),作為 Nordic 的 nRF52® 和 nRF53® 系列系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)的補(bǔ)充組件而設(shè)計(jì),可確保供電可靠和運(yùn)行穩(wěn)定,同時(shí)通過(guò)高效率和低靜態(tài)電流最大限度地延長(zhǎng)電池使用壽命。

nPM1100還可以用作其他合適應(yīng)用的通用 PMIC器件。它采用了極其緊湊的(2.075 x 2.075 mm) WLCSP封裝,非常適合可穿戴設(shè)備、互聯(lián)醫(yī)療設(shè)備、智能家居傳感器和控制、遙控器和游戲控制器,以及其他尺寸受限的應(yīng)用。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V

Id-連續(xù)漏極電流: 70 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 9.4 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 66 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 125 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

商標(biāo): Infineon Technologies

配置: Single

下降時(shí)間: 8 ns

高度: 4.4 mm

長(zhǎng)度: 10 mm

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 8 ns

系列: XPB70N10

1000

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 25 ns

典型接通延遲時(shí)間: 17 ns

寬度: 9.25 mm

零件號(hào)別名: IPB70N10S3-12 SP000261246

單位重量: 4 g

用于汽車高可靠性貼片磁珠MMZ1608-HE系列并已開(kāi)始投入量產(chǎn),其支持150℃環(huán)境下的高耐久性焊接。

該系列產(chǎn)品是業(yè)內(nèi)首款*高可靠性貼片磁珠,專為汽車相關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì),如發(fā)動(dòng)機(jī)控制模塊(ECM)、防抱死制動(dòng)系統(tǒng)(ABS)、電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS)、電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車(EV/EHV)、逆變器和LED前大燈等。

四款產(chǎn)品在150℃下的額定電流最大值分別為200到300,直流電阻最大值分別為0.15到0.5,阻抗值分別為120到1000。





(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

可配置雙模降壓穩(wěn)壓器和集成電池充電器的專用電源管理 IC (PMIC),作為 Nordic 的 nRF52® 和 nRF53® 系列系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)的補(bǔ)充組件而設(shè)計(jì),可確保供電可靠和運(yùn)行穩(wěn)定,同時(shí)通過(guò)高效率和低靜態(tài)電流最大限度地延長(zhǎng)電池使用壽命。

nPM1100還可以用作其他合適應(yīng)用的通用 PMIC器件。它采用了極其緊湊的(2.075 x 2.075 mm) WLCSP封裝,非常適合可穿戴設(shè)備、互聯(lián)醫(yī)療設(shè)備、智能家居傳感器和控制、遙控器和游戲控制器,以及其他尺寸受限的應(yīng)用。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V

Id-連續(xù)漏極電流: 70 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 9.4 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 66 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 125 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

商標(biāo): Infineon Technologies

配置: Single

下降時(shí)間: 8 ns

高度: 4.4 mm

長(zhǎng)度: 10 mm

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 8 ns

系列: XPB70N10

1000

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 25 ns

典型接通延遲時(shí)間: 17 ns

寬度: 9.25 mm

零件號(hào)別名: IPB70N10S3-12 SP000261246

單位重量: 4 g

用于汽車高可靠性貼片磁珠MMZ1608-HE系列并已開(kāi)始投入量產(chǎn),其支持150℃環(huán)境下的高耐久性焊接。

該系列產(chǎn)品是業(yè)內(nèi)首款*高可靠性貼片磁珠,專為汽車相關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì),如發(fā)動(dòng)機(jī)控制模塊(ECM)、防抱死制動(dòng)系統(tǒng)(ABS)、電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS)、電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車(EV/EHV)、逆變器和LED前大燈等。

四款產(chǎn)品在150℃下的額定電流最大值分別為200到300,直流電阻最大值分別為0.15到0.5,阻抗值分別為120到1000。





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