功率開關(guān)FDC6901L，集成了先進(jìn)的Trench技術(shù)的P-MOSFET和轉(zhuǎn)換速率控制IC。其結(jié)果是這種智能功率開關(guān)能提供優(yōu)異的熱性能和電性能，這樣就不需要另外的封裝和增加幾個無源元件。

這種全集成的成本效率的解決方案能處理高達(dá)3A的電流。FDC6901L很適合用作手機(jī)，PDA或功率管理/安全應(yīng)用的負(fù)載開關(guān),例如DVD播放器，機(jī)頂盒和其它消費(fèi)類電子產(chǎn)品。

FDC6901L先進(jìn)的加電控制功能是基于采用小型IC來驅(qū)動集成P-MOSFET開關(guān)的獨(dú)特的設(shè)計(jì)，有可編的恒流源。

改善功率效率的MOSFET TPC8017-H (15-A)和TPC8018-H (18-A)，它采用超高速度U-MOS III和鋁絲鍵合，以改善導(dǎo)通電阻和柵極電荷。采用超聲鍵合方法來代替焊接，器件的RDS(on)降低了34%，QSW降低了14%。

MOSFET TPC8017-H和TPC8018-H器件的指標(biāo)包括有VDss為30V，Vgs=10V時的導(dǎo)通電阻分別為6.6和4.6 mW，在Vds=24V和Vgs=10V時的QSW分別為7.8 和12 nC。

新的MOSBD，由于消除了MOSFET和二極管間的外部連線，大大地降低了連線的電阻和電感。新器件也由于采用東芝的UMOS III工藝，能進(jìn)一步改善性能。