低電容Centurion生產(chǎn)技術(shù)有優(yōu)異EMI濾波性能和高性能ESD保護(hù)
發(fā)布時(shí)間:2021/11/3 21:07:00 訪問次數(shù):116
閂鎖可以定義為因觸發(fā)寄生器件而在供電軌之間構(gòu)建出低阻 抗路徑。
閂鎖發(fā)生CMOS器件中:本征寄生器件構(gòu)成PNPN SCR結(jié)構(gòu),當(dāng)兩個(gè)寄生基極-發(fā)射極之一瞬態(tài)發(fā)生正向偏置時(shí) 就發(fā)生閂鎖.
而SCR導(dǎo)通則導(dǎo)致電源之間持續(xù)短路。 觸發(fā)閂鎖狀況的后果非常嚴(yán)重:在“Z好”情況下,它會(huì)導(dǎo)致器件出現(xiàn)故障,需要上電周期來將器件恢復(fù)到正常工作模式; 在Z差情況下,如果電流未受到限制,器件(還有電源)會(huì)受到破壞。
CSPEMI608的特性歸納有:
低電容Centurion生產(chǎn)技術(shù)有優(yōu)異的EMI濾波性能和高性能的ESD保護(hù),
用于高速數(shù)據(jù)線的8通路有ESD保護(hù)功能的EMI濾波,
1GHz時(shí)衰減大于30dB,抑制不必要的高頻信號(hào),
3GHz時(shí)的衰減大于40dB,
±15kV ESD保護(hù),滿足IEC61000-4-2 Level 4,
比用分立元件實(shí)現(xiàn)的節(jié)省面積89%.
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
閂鎖可以定義為因觸發(fā)寄生器件而在供電軌之間構(gòu)建出低阻 抗路徑。
閂鎖發(fā)生CMOS器件中:本征寄生器件構(gòu)成PNPN SCR結(jié)構(gòu),當(dāng)兩個(gè)寄生基極-發(fā)射極之一瞬態(tài)發(fā)生正向偏置時(shí) 就發(fā)生閂鎖.
而SCR導(dǎo)通則導(dǎo)致電源之間持續(xù)短路。 觸發(fā)閂鎖狀況的后果非常嚴(yán)重:在“Z好”情況下,它會(huì)導(dǎo)致器件出現(xiàn)故障,需要上電周期來將器件恢復(fù)到正常工作模式; 在Z差情況下,如果電流未受到限制,器件(還有電源)會(huì)受到破壞。
CSPEMI608的特性歸納有:
低電容Centurion生產(chǎn)技術(shù)有優(yōu)異的EMI濾波性能和高性能的ESD保護(hù),
用于高速數(shù)據(jù)線的8通路有ESD保護(hù)功能的EMI濾波,
1GHz時(shí)衰減大于30dB,抑制不必要的高頻信號(hào),
3GHz時(shí)的衰減大于40dB,
±15kV ESD保護(hù),滿足IEC61000-4-2 Level 4,
比用分立元件實(shí)現(xiàn)的節(jié)省面積89%.
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