雙導(dǎo)光板與零隙微透鏡最大限度地提高進(jìn)入像素感光區(qū)的光線耦合度，以實現(xiàn)低光下的良好信噪比。

導(dǎo)光板和微透鏡還能實現(xiàn)一個很寬的角響應(yīng),更接近于背照式像素，盡管Topaz采用正面照明技術(shù).這些"像素內(nèi)"光學(xué)元件也減少了像素與像素之間的串?dāng)_，從而提供清晰圖像。

針對圖像質(zhì)量的進(jìn)一步討論需要重點關(guān)注暗信號及其對固定模式噪聲（FPN）的影響，尤其是在高溫環(huán)境下。高暗信號不均勻性（DSNU）往往會導(dǎo)致圖像中出現(xiàn)更多可見的VFPN/HFPN，即使利用了補(bǔ)償技術(shù)。Topaz傳感器具備的兩個特性確保高溫下圖像質(zhì)量的優(yōu)越性。

制造商:Vishay 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:30 V Id-連續(xù)漏極電流:3.16 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:47 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V Qg-柵極電荷:3 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:750 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Reel 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 商標(biāo):Vishay Semiconductors 配置:Single 下降時間:6 ns 正向跨導(dǎo) - 最小值:7 S 高度:1.45 mm 長度:2.9 mm 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:12 ns 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 晶體管類型:1 N-Channel 典型關(guān)閉延遲時間:14 ns 典型接通延遲時間:7 ns 寬度:1.6 mm 零件號別名:SI2306BDS-T1-BE3 SI2306BDS-E3 單位重量:8 mg

RA6M5是高性能200MHz 基于Arm® Cortex®-M33 內(nèi)核的微控制器,集成了多達(dá)2MB代碼閃存,8KB數(shù)據(jù)閃存和帶極性/ECC的512KB SRAM.

高度集成的以太網(wǎng)MAC控制器,可確保高數(shù)據(jù)吞吐率,USB 2.0高速,CAN FD,SDHI,Quad和Octa SPI以及先進(jìn)的模擬電路.

還集成了安全加密引擎和加密加速器,支持密鑰管理技術(shù),篡改檢測和功率分析電阻,支持TrustZone®.與片內(nèi)的安全加密引擎(SCE)配合使用,可實現(xiàn)安全芯片的功能.

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）