輕負(fù)載滿效率連接到兩條APB總線的各類增強(qiáng)型I/O和外設(shè)資源
發(fā)布時(shí)間:2021/11/8 0:16:26 訪問次數(shù):775
GD32L233系列MCU的最高主頻為64MHz，集成了64KB到256KB的嵌入式eFlash和16KB到32KB的SRAM，以及連接到兩條APB總線的各類增強(qiáng)型I/O和外設(shè)資源。
芯片持續(xù)采用行業(yè)領(lǐng)先的Arm® Cortex®-M23內(nèi)核,通過精簡強(qiáng)大的Armv8-M指令集和全面優(yōu)化的總線設(shè)計(jì)帶來高效處理能力,包含獨(dú)立的乘法器和除法器,適用于低功耗、高效節(jié)能的深度嵌入式應(yīng)用場景。
GD32L233系列MCU實(shí)現(xiàn)了優(yōu)異的功耗效率，深度睡眠(Deep-sleep)電流降至2uA，喚醒時(shí)間低于10uS，待機(jī)(Standby)電流最低僅有0.4uA。
無負(fù)載時(shí)的靜態(tài)電流為60uA，關(guān)斷模式低于1uA。
對(duì)于輕負(fù)載滿效率，LTC3411工作在可選擇的觸發(fā)模式。在噪音敏感應(yīng)用中，同步/模式引腳能用來形成跳躍脈沖或強(qiáng)迫進(jìn)入連續(xù)工作模式，以減少噪音和射頻(RF)干擾。
RAA223021超低待機(jī)功率通用的輸入 AC/DC 開關(guān)降壓穩(wěn)壓器,集成了700V MOSFET,能夠在降壓模式下提供高達(dá) 8W 的輸出功率,可在反激模式下提供高達(dá) 12W 的輸出功率.器件支持低至 3.3V 的輸出電壓,無需額外的 LDO.
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）
GD32L233系列MCU的最高主頻為64MHz，集成了64KB到256KB的嵌入式eFlash和16KB到32KB的SRAM，以及連接到兩條APB總線的各類增強(qiáng)型I/O和外設(shè)資源。
芯片持續(xù)采用行業(yè)領(lǐng)先的Arm® Cortex®-M23內(nèi)核,通過精簡強(qiáng)大的Armv8-M指令集和全面優(yōu)化的總線設(shè)計(jì)帶來高效處理能力,包含獨(dú)立的乘法器和除法器,適用于低功耗、高效節(jié)能的深度嵌入式應(yīng)用場景。
GD32L233系列MCU實(shí)現(xiàn)了優(yōu)異的功耗效率，深度睡眠(Deep-sleep)電流降至2uA，喚醒時(shí)間低于10uS，待機(jī)(Standby)電流最低僅有0.4uA。
無負(fù)載時(shí)的靜態(tài)電流為60uA，關(guān)斷模式低于1uA。
對(duì)于輕負(fù)載滿效率，LTC3411工作在可選擇的觸發(fā)模式。在噪音敏感應(yīng)用中，同步/模式引腳能用來形成跳躍脈沖或強(qiáng)迫進(jìn)入連續(xù)工作模式，以減少噪音和射頻(RF)干擾。
RAA223021超低待機(jī)功率通用的輸入 AC/DC 開關(guān)降壓穩(wěn)壓器,集成了700V MOSFET,能夠在降壓模式下提供高達(dá) 8W 的輸出功率,可在反激模式下提供高達(dá) 12W 的輸出功率.器件支持低至 3.3V 的輸出電壓,無需額外的 LDO.
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