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多個IC和一個小功率SRAM器件來處理電池切換和寫保護(hù)功能

發(fā)布時(shí)間:2021/11/14 15:30:04 訪問次數(shù):114

在ADC讀取一個位值并計(jì)算溫度后,您可將該值存儲在先進(jìn)先出(FIFO)軟件陣列中。

當(dāng)新值輸入陣列時(shí),最舊的樣本將被丟棄,所有其他樣本都將移至下一個對應(yīng)的單元,從而創(chuàng)建一個FIFO。該求平均值方法可應(yīng)用于溫度轉(zhuǎn)換過程中使用的任何值,例如溫度、ADC位值、分壓器電壓,甚至計(jì)算得出的電阻。所有這些因素平均下來都將很好地發(fā)揮作用。

微控制器可在內(nèi)部具有浮點(diǎn)單元硬件,也可具有無需硬件即可進(jìn)行浮點(diǎn)數(shù)學(xué)運(yùn)算的固件庫。32位非浮點(diǎn)器件的快速示例是Cortex “M4”器件,而帶有浮點(diǎn)的版本將標(biāo)記為“M4F”。

制造商:Infineon產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 詳細(xì)信息技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TO-252-3晶體管極性:P-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:40 VId-連續(xù)漏極電流:70 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:9.5 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 16 V, + 5 VVgs th-柵源極閾值電壓:1.7 VQg-柵極電荷:71 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 175 CPd-功率耗散:75 W通道模式:Enhancement封裝:Reel封裝:Cut Tape商標(biāo):Infineon Technologies下降時(shí)間:4 ns產(chǎn)品類型:MOSFET上升時(shí)間:10 ns工廠包裝數(shù)量:2500子類別:MOSFETs典型關(guān)閉延遲時(shí)間:50 ns典型接通延遲時(shí)間:12 ns零件號別名:IPD70P04P4L-08 SP002325772單位重量:4 g

在傳統(tǒng)上,具有電池備用電源的NVRAM通常采用非標(biāo)準(zhǔn)化封裝,這種封裝在印制電路板上十分凸出,當(dāng)元器件的高度受到限制時(shí),會產(chǎn)生一些問題。

分立的解決方案需用多個IC和一個小功率SRAM器件來處理電池切換和寫保護(hù)功能。

靈活性體現(xiàn)在客戶對電池的選擇上,在外界溫度40度、電池容量僅為18mAh時(shí), M48Z32V的數(shù)據(jù)額定保存能力10年。目前,很多系統(tǒng)已經(jīng)配備了可隨時(shí)為M48Z32V提供備用電源的電池,這意味M48Z32V不僅是一個小尺寸的NVRAM解決方案,而且還可降低產(chǎn)品的成本。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

在ADC讀取一個位值并計(jì)算溫度后,您可將該值存儲在先進(jìn)先出(FIFO)軟件陣列中。

當(dāng)新值輸入陣列時(shí),最舊的樣本將被丟棄,所有其他樣本都將移至下一個對應(yīng)的單元,從而創(chuàng)建一個FIFO。該求平均值方法可應(yīng)用于溫度轉(zhuǎn)換過程中使用的任何值,例如溫度、ADC位值、分壓器電壓,甚至計(jì)算得出的電阻。所有這些因素平均下來都將很好地發(fā)揮作用。

微控制器可在內(nèi)部具有浮點(diǎn)單元硬件,也可具有無需硬件即可進(jìn)行浮點(diǎn)數(shù)學(xué)運(yùn)算的固件庫。32位非浮點(diǎn)器件的快速示例是Cortex “M4”器件,而帶有浮點(diǎn)的版本將標(biāo)記為“M4F”。

制造商:Infineon產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 詳細(xì)信息技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TO-252-3晶體管極性:P-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:40 VId-連續(xù)漏極電流:70 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:9.5 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 16 V, + 5 VVgs th-柵源極閾值電壓:1.7 VQg-柵極電荷:71 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 175 CPd-功率耗散:75 W通道模式:Enhancement封裝:Reel封裝:Cut Tape商標(biāo):Infineon Technologies下降時(shí)間:4 ns產(chǎn)品類型:MOSFET上升時(shí)間:10 ns工廠包裝數(shù)量:2500子類別:MOSFETs典型關(guān)閉延遲時(shí)間:50 ns典型接通延遲時(shí)間:12 ns零件號別名:IPD70P04P4L-08 SP002325772單位重量:4 g

在傳統(tǒng)上,具有電池備用電源的NVRAM通常采用非標(biāo)準(zhǔn)化封裝,這種封裝在印制電路板上十分凸出,當(dāng)元器件的高度受到限制時(shí),會產(chǎn)生一些問題。

分立的解決方案需用多個IC和一個小功率SRAM器件來處理電池切換和寫保護(hù)功能。

靈活性體現(xiàn)在客戶對電池的選擇上,在外界溫度40度、電池容量僅為18mAh時(shí), M48Z32V的數(shù)據(jù)額定保存能力10年。目前,很多系統(tǒng)已經(jīng)配備了可隨時(shí)為M48Z32V提供備用電源的電池,這意味M48Z32V不僅是一個小尺寸的NVRAM解決方案,而且還可降低產(chǎn)品的成本。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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