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16納米的器件突破滾動(dòng)顯示只能觀察變化緩慢信號的限制

發(fā)布時(shí)間:2021/11/14 22:50:36 訪問次數(shù):170


Kria KV260,上面的這個(gè)FPGA板卡叫做K26 SoM,它的主體就是一個(gè)Zynq UltraScale+的MPSoC。

這是一個(gè)16納米的器件,包含4核ARM Cortex-A53處理器,以及圍繞它搭建的一系列SoC子系統(tǒng),包括嵌入式的GPU、內(nèi)存控制器,還有各種IO和總線控制單元等等。

為了提高畫圖的效率,只需畫出滾動(dòng)視圖可視部分的圖形,也就是剪裁區(qū)的圖形,因此要得到剪裁區(qū)。

可編程邏輯部分,也就是PL,包含25.6萬個(gè)可編程邏輯單元,1000多個(gè)DSP單元,以及一個(gè)硬核視頻Codec,可以支持4K60幀的視頻編解碼。

制造商:Infineon產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 詳細(xì)信息技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TO-252-3晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:100 VId-連續(xù)漏極電流:30 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:31 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:1.2 VQg-柵極電荷:24 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 175 CPd-功率耗散:57 W通道模式:Enhancement資格:AEC-Q101封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標(biāo):Infineon Technologies配置:Single下降時(shí)間:3 ns高度:2.3 mm長度:6.5 mm產(chǎn)品類型:MOSFET上升時(shí)間:4 ns系列:XPD30N10工廠包裝數(shù)量:2500子類別:MOSFETs晶體管類型:1 N-Channel典型關(guān)閉延遲時(shí)間:18 ns典型接通延遲時(shí)間:6 ns寬度:6.22 mm零件號別名:IPD30N10S3L-34 SP000261248單位重量:4 g

中頻直接數(shù)字化提高了設(shè)計(jì)靈活性,為實(shí)現(xiàn)減少相鄰信道在極其惡劣條件下產(chǎn)生多信道接收效應(yīng)的復(fù)雜均衡技術(shù)提供了可能。

此外,處理器可以適應(yīng)不斷變化的接收條件,始終保持優(yōu)異的接收性能。

這種基于軟件的接收技術(shù)的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是,在增加新功能時(shí),不必重新設(shè)計(jì)硬件,只要更新固件,就可以提高產(chǎn)品性能,使產(chǎn)品保持差異化。

這里采用滾動(dòng)顯示,并且提出一種新的滾動(dòng)顯示算法,突破了滾動(dòng)顯示只能觀察變化緩慢的信號的限制。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)




Kria KV260,上面的這個(gè)FPGA板卡叫做K26 SoM,它的主體就是一個(gè)Zynq UltraScale+的MPSoC。

這是一個(gè)16納米的器件,包含4核ARM Cortex-A53處理器,以及圍繞它搭建的一系列SoC子系統(tǒng),包括嵌入式的GPU、內(nèi)存控制器,還有各種IO和總線控制單元等等。

為了提高畫圖的效率,只需畫出滾動(dòng)視圖可視部分的圖形,也就是剪裁區(qū)的圖形,因此要得到剪裁區(qū)。

可編程邏輯部分,也就是PL,包含25.6萬個(gè)可編程邏輯單元,1000多個(gè)DSP單元,以及一個(gè)硬核視頻Codec,可以支持4K60幀的視頻編解碼。

制造商:Infineon產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 詳細(xì)信息技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TO-252-3晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:100 VId-連續(xù)漏極電流:30 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:31 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:1.2 VQg-柵極電荷:24 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 175 CPd-功率耗散:57 W通道模式:Enhancement資格:AEC-Q101封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標(biāo):Infineon Technologies配置:Single下降時(shí)間:3 ns高度:2.3 mm長度:6.5 mm產(chǎn)品類型:MOSFET上升時(shí)間:4 ns系列:XPD30N10工廠包裝數(shù)量:2500子類別:MOSFETs晶體管類型:1 N-Channel典型關(guān)閉延遲時(shí)間:18 ns典型接通延遲時(shí)間:6 ns寬度:6.22 mm零件號別名:IPD30N10S3L-34 SP000261248單位重量:4 g

中頻直接數(shù)字化提高了設(shè)計(jì)靈活性,為實(shí)現(xiàn)減少相鄰信道在極其惡劣條件下產(chǎn)生多信道接收效應(yīng)的復(fù)雜均衡技術(shù)提供了可能。

此外,處理器可以適應(yīng)不斷變化的接收條件,始終保持優(yōu)異的接收性能。

這種基于軟件的接收技術(shù)的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是,在增加新功能時(shí),不必重新設(shè)計(jì)硬件,只要更新固件,就可以提高產(chǎn)品性能,使產(chǎn)品保持差異化。

這里采用滾動(dòng)顯示,并且提出一種新的滾動(dòng)顯示算法,突破了滾動(dòng)顯示只能觀察變化緩慢的信號的限制。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)



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