傳統(tǒng)PID控制RC2/CCP1引腳可輸出10位的脈寬調(diào)制波形
發(fā)布時(shí)間:2021/11/16 12:27:13 訪問(wèn)次數(shù):390
單片微機(jī)PIC16C63、顯示器、整流電路、直流變換、斬波電路、轉(zhuǎn)速檢測(cè)電路、直流無(wú)刷電動(dòng)機(jī)(額定電壓48V,額定轉(zhuǎn)速2000r/min)等組成。
設(shè)置CCP1模塊工作于PWM方式。把脈寬值置入CCPR1L寄存器和CCP1CON5:4,RC2/CCP1引腳可輸出高達(dá)10位的脈寬調(diào)制波形。
TMR2繼續(xù)遞增,直至計(jì)數(shù)值等于周期寄存器PR2的值,此時(shí)RC2/CCP1輸出高電平,產(chǎn)生PWM周期,同時(shí)使CCPR1L再載入CCPR1H,如此周期循環(huán),產(chǎn)生PWM信號(hào)。
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-2
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續(xù)漏極電流: 72 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 6.9 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 54 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 75 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
商標(biāo): Infineon Technologies
下降時(shí)間: 31 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 19 ns
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 24 ns
典型接通延遲時(shí)間: 19 ns
零件號(hào)別名: IPB70P04P4-09 SP002325746
單位重量: 324 mg
傳統(tǒng)PID控制的電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)技術(shù)成熟,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,較穩(wěn)定可靠,應(yīng)用較為廣泛,但也存在一些缺點(diǎn),例如無(wú)法有效地克服傳動(dòng)對(duì)象和負(fù)載參數(shù)的大范圍變化以及非線性因素對(duì)系統(tǒng)造成的影響,因而不能滿足高性能和高的要求。
產(chǎn)品采用小封裝并具有超級(jí)噪聲抑制能力,是GPRS和3G蜂窩電話設(shè)計(jì)人員的理想選擇。
另外,輸出濾波器的消除及共模輸入范圍的改善使整個(gè)方案的體積與同類產(chǎn)品相比減小了30%,而射頻(RF)噪聲抑制性能卻超過(guò)了市場(chǎng)上所有其它D類放大器。
(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
單片微機(jī)PIC16C63、顯示器、整流電路、直流變換、斬波電路、轉(zhuǎn)速檢測(cè)電路、直流無(wú)刷電動(dòng)機(jī)(額定電壓48V,額定轉(zhuǎn)速2000r/min)等組成。
設(shè)置CCP1模塊工作于PWM方式。把脈寬值置入CCPR1L寄存器和CCP1CON5:4,RC2/CCP1引腳可輸出高達(dá)10位的脈寬調(diào)制波形。
TMR2繼續(xù)遞增,直至計(jì)數(shù)值等于周期寄存器PR2的值,此時(shí)RC2/CCP1輸出高電平,產(chǎn)生PWM周期,同時(shí)使CCPR1L再載入CCPR1H,如此周期循環(huán),產(chǎn)生PWM信號(hào)。
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-2
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續(xù)漏極電流: 72 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 6.9 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 54 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 75 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
商標(biāo): Infineon Technologies
下降時(shí)間: 31 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 19 ns
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 24 ns
典型接通延遲時(shí)間: 19 ns
零件號(hào)別名: IPB70P04P4-09 SP002325746
單位重量: 324 mg
傳統(tǒng)PID控制的電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)技術(shù)成熟,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,較穩(wěn)定可靠,應(yīng)用較為廣泛,但也存在一些缺點(diǎn),例如無(wú)法有效地克服傳動(dòng)對(duì)象和負(fù)載參數(shù)的大范圍變化以及非線性因素對(duì)系統(tǒng)造成的影響,因而不能滿足高性能和高的要求。
產(chǎn)品采用小封裝并具有超級(jí)噪聲抑制能力,是GPRS和3G蜂窩電話設(shè)計(jì)人員的理想選擇。
另外,輸出濾波器的消除及共模輸入范圍的改善使整個(gè)方案的體積與同類產(chǎn)品相比減小了30%,而射頻(RF)噪聲抑制性能卻超過(guò)了市場(chǎng)上所有其它D類放大器。
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