BTM2022-1-Y在遠(yuǎn)到400米范圍連接支持穩(wěn)定1Mbps的吞吐量
發(fā)布時(shí)間:2021/11/14 22:58:31 訪問次數(shù):217
PA2423L已經(jīng)集成到Uniwill公司的BTM2022-1-Y模塊中,用在B191H USB,B190N1接入點(diǎn)和筆記本電腦系列產(chǎn)品。PA2423L是SiGe公司功率放大器PA2423家族中的緊湊型,得以改善輸出范圍和功耗的性能。PA2423L的輸出功率為22.5dBm,功率附加效率(PAE)為45%。
因此,該器件能克服天線和濾波器的損耗,提升信號(hào)完整性和穩(wěn)定性,即使在超出發(fā)送范圍也是如此。BTM2022-1-Y在遠(yuǎn)到400米的范圍連接,支持穩(wěn)定的1Mbps的吞吐量。
制造商:Infineon產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 詳細(xì)信息技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TDSON-8晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:150 VId-連續(xù)漏極電流:21 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:52 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:3 VQg-柵極電荷:8.7 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:57 W通道模式:Enhancement商標(biāo)名:OptiMOS封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標(biāo):Infineon Technologies配置:Single下降時(shí)間:3 ns正向跨導(dǎo) - 最小值:21 S, 11 S高度:1.27 mm長度:5.9 mm產(chǎn)品類型:MOSFET上升時(shí)間:4 ns系列:OptiMOS 3工廠包裝數(shù)量:5000子類別:MOSFETs晶體管類型:1 N-Channel類型:OptiMOS 3 Power-Transistor典型關(guān)閉延遲時(shí)間:10 ns典型接通延遲時(shí)間:7 ns寬度:5.15 mm零件號(hào)別名:SP000521716 BSC52N15NS3GXT BSC520N15NS3GATMA1單位重量:200 mg
輸入頻率為60Hz時(shí),圖3中的電路的顯示讀數(shù)為60.0。0.047μF的電容器(C1)應(yīng)該是聚酯類型的。47μF電容器(C2)用于減小LM2917的輸出紋波。如果將C2的值設(shè)置得太大,則紋波將進(jìn)一步減小,但是,對(duì)于給定的FIN變化,輸出的響應(yīng)時(shí)間將花費(fèi)更長的時(shí)間才能達(dá)到其最終值。
當(dāng)諧振條件(ωL=1/ωC)成立時(shí),在柵極—源極間外加遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于驅(qū)動(dòng)電壓Vgs(Vin)的振動(dòng)電壓,由于超出柵極—源極間額定電壓導(dǎo)致柵極破壞,或者接通、斷開漏極—源極間電壓時(shí)的振動(dòng)電壓通過柵極—漏極電容Cgd和Vgs波形重疊導(dǎo)致正向反饋,因此可能會(huì)由于誤動(dòng)作引起振蕩破壞。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
PA2423L已經(jīng)集成到Uniwill公司的BTM2022-1-Y模塊中,用在B191H USB,B190N1接入點(diǎn)和筆記本電腦系列產(chǎn)品。PA2423L是SiGe公司功率放大器PA2423家族中的緊湊型,得以改善輸出范圍和功耗的性能。PA2423L的輸出功率為22.5dBm,功率附加效率(PAE)為45%。
因此,該器件能克服天線和濾波器的損耗,提升信號(hào)完整性和穩(wěn)定性,即使在超出發(fā)送范圍也是如此。BTM2022-1-Y在遠(yuǎn)到400米的范圍連接,支持穩(wěn)定的1Mbps的吞吐量。
制造商:Infineon產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 詳細(xì)信息技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TDSON-8晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:150 VId-連續(xù)漏極電流:21 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:52 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:3 VQg-柵極電荷:8.7 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:57 W通道模式:Enhancement商標(biāo)名:OptiMOS封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標(biāo):Infineon Technologies配置:Single下降時(shí)間:3 ns正向跨導(dǎo) - 最小值:21 S, 11 S高度:1.27 mm長度:5.9 mm產(chǎn)品類型:MOSFET上升時(shí)間:4 ns系列:OptiMOS 3工廠包裝數(shù)量:5000子類別:MOSFETs晶體管類型:1 N-Channel類型:OptiMOS 3 Power-Transistor典型關(guān)閉延遲時(shí)間:10 ns典型接通延遲時(shí)間:7 ns寬度:5.15 mm零件號(hào)別名:SP000521716 BSC52N15NS3GXT BSC520N15NS3GATMA1單位重量:200 mg
輸入頻率為60Hz時(shí),圖3中的電路的顯示讀數(shù)為60.0。0.047μF的電容器(C1)應(yīng)該是聚酯類型的。47μF電容器(C2)用于減小LM2917的輸出紋波。如果將C2的值設(shè)置得太大,則紋波將進(jìn)一步減小,但是,對(duì)于給定的FIN變化,輸出的響應(yīng)時(shí)間將花費(fèi)更長的時(shí)間才能達(dá)到其最終值。
當(dāng)諧振條件(ωL=1/ωC)成立時(shí),在柵極—源極間外加遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于驅(qū)動(dòng)電壓Vgs(Vin)的振動(dòng)電壓,由于超出柵極—源極間額定電壓導(dǎo)致柵極破壞,或者接通、斷開漏極—源極間電壓時(shí)的振動(dòng)電壓通過柵極—漏極電容Cgd和Vgs波形重疊導(dǎo)致正向反饋,因此可能會(huì)由于誤動(dòng)作引起振蕩破壞。
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