D1和D2串聯(lián)于主電路芯片可以降低電話中途斷線次數(shù)
發(fā)布時(shí)間:2021/11/15 19:10:07 訪問次數(shù):116
WEBENCH(TM) - EasyPLL互動(dòng)模擬工具已將LMX2346及LMX2347兩款芯片包括在內(nèi),設(shè)計(jì)工程師可以利用這個(gè)WEBENCH 設(shè)計(jì)網(wǎng)頁上的工具設(shè)計(jì)及模擬鎖相環(huán)路及環(huán)路濾波器電路。
無論在管腳還是軟件方面,這兩款型號分別為LMX2346 及 LMX2347 的新一代固定射頻鎖相環(huán)路,都可與目前的LMX2323 鎖相環(huán)路兼容,使采用這兩款芯片的客戶可以輕易將系統(tǒng)升級。
LMX2346及LMX2347 兩款芯片的相位噪音極低,有助提高射頻系統(tǒng)的靈敏度,因此這兩款芯片可以降低電話中途斷線次數(shù),擴(kuò)大基站的通信范圍,提高通話的清晰度。
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零件狀態(tài)在售 FET 類型N 通道 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss)40 V 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)90A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)10V 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值)3.2 毫歐 @ 90A,10V 不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值)4V @ 53μA 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值)66.8 nC @ 10 V Vgs(最大值)±20V 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)5260 pF @ 25 V FET 功能- 功率耗散(最大值)94W(Tc) 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型表面貼裝型 供應(yīng)商器件封裝PG-TO252-3-313 封裝/外殼TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

當(dāng)外界電壓U加大到D2上的壓降到達(dá)臨界點(diǎn)時(shí),由于D1反向飽和電流大導(dǎo)致其壓降相對較小,當(dāng)D2達(dá)到臨界壓降時(shí),D1仍然處于安全穩(wěn)定區(qū)域。
U再次加大,按照上述分析,D2上壓降將突破臨界轉(zhuǎn)折電壓,二極管擊穿造成電流急劇增加,但是D1和D2是串聯(lián)于主電路中,D1電流必然隨著D2增加,但是從Dl的伏安曲線得知,D1通過大電流時(shí)其反向壓降應(yīng)該達(dá)到轉(zhuǎn)折電壓,故u1和u2之和大于U,推測不成立。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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LMX2346及LMX2347 兩款芯片的相位噪音極低,有助提高射頻系統(tǒng)的靈敏度,因此這兩款芯片可以降低電話中途斷線次數(shù),擴(kuò)大基站的通信范圍,提高通話的清晰度。
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當(dāng)外界電壓U加大到D2上的壓降到達(dá)臨界點(diǎn)時(shí),由于D1反向飽和電流大導(dǎo)致其壓降相對較小,當(dāng)D2達(dá)到臨界壓降時(shí),D1仍然處于安全穩(wěn)定區(qū)域。
U再次加大,按照上述分析,D2上壓降將突破臨界轉(zhuǎn)折電壓,二極管擊穿造成電流急劇增加,但是D1和D2是串聯(lián)于主電路中,D1電流必然隨著D2增加,但是從Dl的伏安曲線得知,D1通過大電流時(shí)其反向壓降應(yīng)該達(dá)到轉(zhuǎn)折電壓,故u1和u2之和大于U,推測不成立。
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