兩種BGA封裝的雙N溝和雙P溝的20V MOSFET，其物理特性和電性能都適合用在鋰離子電池盒保護(hù)應(yīng)用。四種器件FDZ2551N, FDZ2553N, FDZ2552P 和FDZ2554P都封在4x2.5mm表面安裝的OSFET BGA封裝，其漏極是共用的。

這種雙N溝和雙P溝的20V MOSFET還可用在計(jì)算機(jī)/EDP，通信，手提，工業(yè)設(shè)備和無線通信產(chǎn)品如手機(jī)，PDA，MP3播放器和手提POS終端。

和其它有引線封裝相比,它的體積比TSOP-6封裝減少21%,導(dǎo)通電阻降低79%(28毫歐姆對135毫歐姆)。

制造商: onsemi

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: Power-56-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 26 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.7 V

Qg-柵極電荷: 41 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: PowerTrench SyncFET

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

商標(biāo): onsemi / Fairchild

配置: Single

下降時(shí)間: 4 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值: 168 S

高度: 1.1 mm

長度: 6 mm

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 5 ns

系列: FDMS0306AS

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 32 ns

典型接通延遲時(shí)間: 12 ns

寬度: 5 mm

單位重量: 68.100 mg

任何封裝功率耗散能力都會在溫度升高時(shí)下降，因此，在較高溫度下耗散如此大的功率勢必存在問題。這種情況下，普通的SO-8封裝芯片會迅速進(jìn)入熱關(guān)斷狀態(tài)，穩(wěn)壓器可能不被損壞，冷卻后還會再次恢復(fù)，但不滿足實(shí)際需求的要求。

因?yàn)槲覀冃枰δ茈娐芬恢碧幱诩せ顮顟B(tài)，車載線性穩(wěn)壓器需要先進(jìn)的封裝提高功率耗散能力。

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