電路板不同器件間的相互連接在3000ms內(nèi)提供330%峰值功率
發(fā)布時間:2021/11/17 18:57:57 訪問次數(shù):156
電路板不同器件間的相互連接主要通過焊接實現(xiàn),從而將電路中不同器件的邏輯功能有效傳遞,保證控制器功能正常運(yùn)行,并有效完成用戶給定指令工作。
電解電容對電路板主要作用有:隔直流、去耦、耦合、濾波、儲能、自舉等,同時對保護(hù)電路避免被過電壓擊穿有不可或缺的作用,是維護(hù)電路穩(wěn)定工作的基石。高壓電解電容對電路的作用更加重要,主要工作在強(qiáng)電部分,若焊接失效會導(dǎo)致電解電容功能無法在整個電控電路中實現(xiàn),最終導(dǎo)致電路失效。
器件結(jié)構(gòu)及工藝流程,設(shè)計匹配,失效因素方面進(jìn)行分析,整改方案思路可以為同類型焊接失效分析整改。
用于醫(yī)療和工業(yè)的開放式電源,可提供330%峰值
在3000ms內(nèi)提供330%峰值功率
通過EN62477-1 OVC III安全認(rèn)證,適用于工業(yè)應(yīng)用
適用于醫(yī)療浮體(BF)應(yīng)用
針對自由空氣對流冷卻優(yōu)化了PCB布局,小巧緊湊
高效率,低能耗
5年質(zhì)保期

STM32L4S5xx, STM32L4S7xx和STM32L4S9xx系列是超低功耗MCU,基于高性能Arm® Cortex®-M4 32位RISC核,工作頻率高達(dá)120MHz.
Cortex-M4核具有單精度浮點單元(FPU),支持所有的Arm®單精度數(shù)據(jù)處理指令和所有的數(shù)據(jù)類型,還能實現(xiàn)全套DSP指令和存儲器保護(hù)單元(MPU),從而增強(qiáng)了應(yīng)用的安全性.
這些器件嵌入高速存儲器(2MB閃存和640KB SRAM,用于靜態(tài)存儲器的靈活存儲器控制器(FSMC),兩個OctoSPI閃存接口和廣泛的增強(qiáng)I/O和外設(shè),連接兩條APB總線,兩條AHB總線和32位多AHB總線矩陣.
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
電路板不同器件間的相互連接主要通過焊接實現(xiàn),從而將電路中不同器件的邏輯功能有效傳遞,保證控制器功能正常運(yùn)行,并有效完成用戶給定指令工作。
電解電容對電路板主要作用有:隔直流、去耦、耦合、濾波、儲能、自舉等,同時對保護(hù)電路避免被過電壓擊穿有不可或缺的作用,是維護(hù)電路穩(wěn)定工作的基石。高壓電解電容對電路的作用更加重要,主要工作在強(qiáng)電部分,若焊接失效會導(dǎo)致電解電容功能無法在整個電控電路中實現(xiàn),最終導(dǎo)致電路失效。
器件結(jié)構(gòu)及工藝流程,設(shè)計匹配,失效因素方面進(jìn)行分析,整改方案思路可以為同類型焊接失效分析整改。
用于醫(yī)療和工業(yè)的開放式電源,可提供330%峰值
在3000ms內(nèi)提供330%峰值功率
通過EN62477-1 OVC III安全認(rèn)證,適用于工業(yè)應(yīng)用
適用于醫(yī)療浮體(BF)應(yīng)用
針對自由空氣對流冷卻優(yōu)化了PCB布局,小巧緊湊
高效率,低能耗
5年質(zhì)保期

STM32L4S5xx, STM32L4S7xx和STM32L4S9xx系列是超低功耗MCU,基于高性能Arm® Cortex®-M4 32位RISC核,工作頻率高達(dá)120MHz.
Cortex-M4核具有單精度浮點單元(FPU),支持所有的Arm®單精度數(shù)據(jù)處理指令和所有的數(shù)據(jù)類型,還能實現(xiàn)全套DSP指令和存儲器保護(hù)單元(MPU),從而增強(qiáng)了應(yīng)用的安全性.
這些器件嵌入高速存儲器(2MB閃存和640KB SRAM,用于靜態(tài)存儲器的靈活存儲器控制器(FSMC),兩個OctoSPI閃存接口和廣泛的增強(qiáng)I/O和外設(shè),連接兩條APB總線,兩條AHB總線和32位多AHB總線矩陣.
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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