NOR Flash具備隨機存儲、可靠性強、讀取速度快、可執(zhí)行代碼等優(yōu)異的特性，有望在IoT設(shè)備中替代NAND Flash與DRAM。處理器/主芯片可直接從NOR Flash里調(diào)用系統(tǒng)代碼并運行，可同時滿足存儲與運行內(nèi)存的要求，這使得NOR Flash的市場需求逐年增加，預(yù)計每年的增長率將超過10%。

顯然，物聯(lián)網(wǎng)及相關(guān)AIoT產(chǎn)品（TWS、可穿戴）的爆發(fā)式增長，已成為NOR Flash存儲器需求增長的主要驅(qū)動力。相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，2020年全球NOR Flash市場規(guī)模在30.6億美元左右，到2022年將進一步增長到37.2億美元。

從國內(nèi)的光刻膠市場來看，低端的中g(shù)線/i線光刻膠自給率約為20%，KrF光刻膠自給率不足5%，而高端的ArF光刻膠完全依賴進口，是國內(nèi)半導(dǎo)體的卡脖子技術(shù)之一。

雖然南大光電的ArF光刻膠現(xiàn)在通過的是55nm工藝認證，但ArF光刻膠涵蓋的工藝技術(shù)很廣，可用于90nm-14nm甚至7nm 技術(shù)節(jié)點制造工藝，廣泛應(yīng)用于芯片制造（如邏輯芯片、 存儲芯片、AI 芯片、5G 芯片和云計算芯片等）。

Endura® Copper Barrier Seed IMS™的全新材料工程解決方案。這個整合材料解決方案在高真空條件下將ALD、PVD、CVD、銅回流、表面處理、界面工程和計量這七種不同的工藝技術(shù)集成到一個系統(tǒng)中。其中，ALD選擇性沉積取代了ALD共形沉積，省去了原先的通孔界面處高電阻阻擋層。

解決方案中還采用了銅回流技術(shù)，可在窄間隙中實現(xiàn)無空洞的間隙填充。

通過這一解決方案，通孔接觸界面的電阻降低了50%，芯片性能和功率得以改善，邏輯微縮也得以繼續(xù)至3 納米及以下節(jié)點。