GaNSense 技術(shù)的新一代納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片有十個型號，他們都集成了氮化鎵功率器件、氮化鎵驅(qū)動、控制和保護的核心技術(shù)，所有產(chǎn)品的額定電壓為650V/800V，具有2kV ESD保護。

新的GaNFast功率芯片的RDS(ON)范圍為120至450毫歐，采用5 x 6 mm或6 x 8 mm PQFN封裝，具有GaNSense保護電路和無損電流感應(yīng)。

作為納微第三代氮化鎵功率芯片，針對現(xiàn)代電源轉(zhuǎn)換拓撲結(jié)構(gòu)進行了優(yōu)化，包括高頻準諧振反激式（HFQR）、有源鉗位反激式（ACF）和PFC升壓，這些都是移動和消費市場內(nèi)流行的提供最快、最高效和最小的充電器和適配器的技術(shù)方法。

電感電容網(wǎng)絡(luò)將產(chǎn)生高通濾波器，因此耦合解決方案必須添加到不需要直流數(shù)據(jù)成分的數(shù)據(jù)線上。

但是，有些接口未在物理層進行編碼以去除直流成分，例如，SPI。在這種情況下，系統(tǒng)設(shè)計人員需考慮最壞情況的直流成分場景，即數(shù)據(jù)幀中發(fā)送的所有位均為邏輯高電平（100% 直流成分）。

所選的電感還將具有指定的自諧振頻率(SRF)，超過該頻率時，電感值會下降，寄生電容會增加。這樣，工程電源電路將同時充當?shù)屯ê透咄V波器（帶通）�；谀M的建模可大大幫助系統(tǒng)設(shè)計人員了解該限制。

目標市場包括智能手機和筆記本電腦的快充充電器，估計每年有20億美元的氮化鎵市場機會，以及每年20億美元的消費市場機會,包括一體機、電視、家庭網(wǎng)絡(luò)和自動化設(shè)備。

與傳統(tǒng)的硅功率芯片相比，每顆出貨的GaNFast氮化鎵功率芯片可以減少碳足跡 4-10 倍，可節(jié)省4千克的二氧化碳排放。

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）