可編程開(kāi)關(guān)擴(kuò)展頻譜的引腳降低所需的輸出電容
發(fā)布時(shí)間:2021/11/20 12:39:01 訪問(wèn)次數(shù):1069
控制器使用戶節(jié)省存于非易失存儲(chǔ)器所需的PMBus參數(shù).
控制器能和傳統(tǒng)的分立電感或和耦合電感拓?fù)涫褂?耦合電感降低有效電感值和尺寸而不增加波紋電流,從而降低了所需的輸出電容,改善了瞬態(tài)響應(yīng).
MAX20754采用該公司先進(jìn)的調(diào)制方案(AMS),改善瞬態(tài)響應(yīng),和通常的脈寬調(diào)制(PWM)控制相比,降低所需的輸出電容.器件的輸入電壓從4.5V到16V,開(kāi)關(guān)頻率從300kHz到800kHz.48引腳7mmx7mm TQFN封裝.主要用在通信,網(wǎng)絡(luò),服務(wù)器和存儲(chǔ)設(shè)備,ASIC,DSP和FPGA,微處理器芯片組和DDR存儲(chǔ)器.
電源有低頻也有高頻,對(duì)于串聯(lián)型穩(wěn)壓電源,這是一種當(dāng)輸入或輸出變化時(shí),通過(guò)連續(xù)性調(diào)整功率管壓降來(lái)獲得穩(wěn)定的輸出電壓的一種電源,這種調(diào)整管工作時(shí)候處于線性放大狀態(tài),這種電路對(duì)于整流二極管反向恢復(fù)時(shí)間要求不是很高,因此這種電源整流二極管只要滿足最大整流電流。
但是對(duì)于開(kāi)關(guān)型穩(wěn)壓電源,它是通過(guò)調(diào)整功率管的導(dǎo)通或者截止來(lái)獲得穩(wěn)定的輸出電壓,這貨在那個(gè)調(diào)整管工作于飽和導(dǎo)通狀態(tài),它的整流電路對(duì)于使用的整流二極管工作頻率相對(duì)較高,另外反向恢復(fù)時(shí)間也要求較短,這時(shí)候需要選擇快恢復(fù)二極管,甚至肖特基二極管。

可編程開(kāi)關(guān)擴(kuò)展頻譜的引腳,以降低成噪音輸出.器件滿足AEC-Q100規(guī)范,DC/DC轉(zhuǎn)換器內(nèi)置了FET,具有高效率的同步整流.
BD86852MUF-C的電源電壓4.0V到18V,最大值為20V,輸出電壓VO1為3.3 V或3.9 V (±2 %), VO2為1.1 V 或1.2 V (±2 %), VO3為1.8 V (±2 %).
控制器使用戶節(jié)省存于非易失存儲(chǔ)器所需的PMBus參數(shù).
控制器能和傳統(tǒng)的分立電感或和耦合電感拓?fù)涫褂?耦合電感降低有效電感值和尺寸而不增加波紋電流,從而降低了所需的輸出電容,改善了瞬態(tài)響應(yīng).
MAX20754采用該公司先進(jìn)的調(diào)制方案(AMS),改善瞬態(tài)響應(yīng),和通常的脈寬調(diào)制(PWM)控制相比,降低所需的輸出電容.器件的輸入電壓從4.5V到16V,開(kāi)關(guān)頻率從300kHz到800kHz.48引腳7mmx7mm TQFN封裝.主要用在通信,網(wǎng)絡(luò),服務(wù)器和存儲(chǔ)設(shè)備,ASIC,DSP和FPGA,微處理器芯片組和DDR存儲(chǔ)器.
電源有低頻也有高頻,對(duì)于串聯(lián)型穩(wěn)壓電源,這是一種當(dāng)輸入或輸出變化時(shí),通過(guò)連續(xù)性調(diào)整功率管壓降來(lái)獲得穩(wěn)定的輸出電壓的一種電源,這種調(diào)整管工作時(shí)候處于線性放大狀態(tài),這種電路對(duì)于整流二極管反向恢復(fù)時(shí)間要求不是很高,因此這種電源整流二極管只要滿足最大整流電流。
但是對(duì)于開(kāi)關(guān)型穩(wěn)壓電源,它是通過(guò)調(diào)整功率管的導(dǎo)通或者截止來(lái)獲得穩(wěn)定的輸出電壓,這貨在那個(gè)調(diào)整管工作于飽和導(dǎo)通狀態(tài),它的整流電路對(duì)于使用的整流二極管工作頻率相對(duì)較高,另外反向恢復(fù)時(shí)間也要求較短,這時(shí)候需要選擇快恢復(fù)二極管,甚至肖特基二極管。

可編程開(kāi)關(guān)擴(kuò)展頻譜的引腳,以降低成噪音輸出.器件滿足AEC-Q100規(guī)范,DC/DC轉(zhuǎn)換器內(nèi)置了FET,具有高效率的同步整流.
BD86852MUF-C的電源電壓4.0V到18V,最大值為20V,輸出電壓VO1為3.3 V或3.9 V (±2 %), VO2為1.1 V 或1.2 V (±2 %), VO3為1.8 V (±2 %).
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