IN2環(huán)路下方的返回電流的連續(xù)接地層高性能GPU的國產(chǎn)替代
發(fā)布時間:2021/11/21 22:15:35 訪問次數(shù):129
THz濾波器是利用在二維光子晶體中弓|入線缺陷和單個點缺陷形成的諧振腔來實現(xiàn)THz波的耦合濾波。但是單個點缺陷只能出現(xiàn)單個缺陷模,不利于多波長的同時處理。
為了設(shè)計出多個缺陷模的諧振腔,在二維光子晶體的線缺陷中中引入三個點缺陷按照一定規(guī)律構(gòu)成的諧振腔,這種濾波器結(jié)構(gòu)簡單,而且可以實現(xiàn)雙波長的濾波功能。
仿真結(jié)果表明該新型濾波器能夠同時實現(xiàn)雙波長濾波,結(jié)構(gòu)簡單易于集成并且耦合下載效率高,在未來太赫茲通信系統(tǒng)中將有重要的應用價值。
轉(zhuǎn)換器IC的優(yōu)點是 VIN 和 PGND 引腳排列對稱且平衡。它使用兩個并聯(lián)的輸入回路,從而有效地減少了一半的寄生回路電感。這些環(huán)路在PCB 布局圖中標記為IN1和IN2。
兩個具有0402或0603外殼尺寸的電容器,指定為CIN1和CIN3, 盡可能靠近 IC 放置,以配置最小輸入環(huán)路區(qū)域.循環(huán)電流產(chǎn)生相反的磁矩,導致 H 場抵消,從而降低有效電感。
為了進一步降低寄生電感,PCB 層 2 上 IN1 和 IN2 環(huán)路下方的返回電流的連續(xù)接地層(緊鄰頂層電源電路下方)支持場自抵消效應。
超過50億顆高端SoC芯片,一舉改變了國產(chǎn)先進工藝高端IP受制于人的歷史;如今,芯動科技憑借多年的技術(shù)積累,厚積薄發(fā),在國產(chǎn)數(shù)據(jù)中心GPU領(lǐng)域取得重大突破,大幅提升現(xiàn)有水平,改變服務器級高性能GPU國產(chǎn)無芯的局面。
“風華1號”的誕生,是多款風華系列GPU持續(xù)迭代、賦能新基建的開始,將有力地助力高性能GPU的國產(chǎn)替代。無論是辦公還是打游戲,相信大家不久就能用上圖形流暢體驗良好的國產(chǎn)GPU。
(素材來源:21ic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
THz濾波器是利用在二維光子晶體中弓|入線缺陷和單個點缺陷形成的諧振腔來實現(xiàn)THz波的耦合濾波。但是單個點缺陷只能出現(xiàn)單個缺陷模,不利于多波長的同時處理。
為了設(shè)計出多個缺陷模的諧振腔,在二維光子晶體的線缺陷中中引入三個點缺陷按照一定規(guī)律構(gòu)成的諧振腔,這種濾波器結(jié)構(gòu)簡單,而且可以實現(xiàn)雙波長的濾波功能。
仿真結(jié)果表明該新型濾波器能夠同時實現(xiàn)雙波長濾波,結(jié)構(gòu)簡單易于集成并且耦合下載效率高,在未來太赫茲通信系統(tǒng)中將有重要的應用價值。
轉(zhuǎn)換器IC的優(yōu)點是 VIN 和 PGND 引腳排列對稱且平衡。它使用兩個并聯(lián)的輸入回路,從而有效地減少了一半的寄生回路電感。這些環(huán)路在PCB 布局圖中標記為IN1和IN2。
兩個具有0402或0603外殼尺寸的電容器,指定為CIN1和CIN3, 盡可能靠近 IC 放置,以配置最小輸入環(huán)路區(qū)域.循環(huán)電流產(chǎn)生相反的磁矩,導致 H 場抵消,從而降低有效電感。
為了進一步降低寄生電感,PCB 層 2 上 IN1 和 IN2 環(huán)路下方的返回電流的連續(xù)接地層(緊鄰頂層電源電路下方)支持場自抵消效應。
超過50億顆高端SoC芯片,一舉改變了國產(chǎn)先進工藝高端IP受制于人的歷史;如今,芯動科技憑借多年的技術(shù)積累,厚積薄發(fā),在國產(chǎn)數(shù)據(jù)中心GPU領(lǐng)域取得重大突破,大幅提升現(xiàn)有水平,改變服務器級高性能GPU國產(chǎn)無芯的局面。
“風華1號”的誕生,是多款風華系列GPU持續(xù)迭代、賦能新基建的開始,將有力地助力高性能GPU的國產(chǎn)替代。無論是辦公還是打游戲,相信大家不久就能用上圖形流暢體驗良好的國產(chǎn)GPU。
(素材來源:21ic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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