數(shù)字和混合信號的layout的快速可擴展動態(tài)分析能力
發(fā)布時間:2021/11/22 13:17:22 訪問次數(shù):797
mPower 電源完整性解決方案進一步完善了西門子的電子物理簽核(Signoff)套件，可全面處理功耗、性能和可靠性分析問題，該套件還包括 Calibre® PERC 軟件、PowerPro™ 軟件、HyperLynx™軟件和 Analog FastSPICE 平臺，設(shè)計人員現(xiàn)在可以使用全套西門子電源完整性設(shè)計流程進行設(shè)計。
設(shè)計公司必須進行模塊和全芯片 EM/IR 分析，以確認(rèn)電網(wǎng)能夠為設(shè)備提供必需的電流，而且保證導(dǎo)線不會過早出現(xiàn)故障。
使用西門子創(chuàng)新的mPower解決方案,設(shè)計人員即擁有了可用于任何規(guī)模的模擬,數(shù)字和混合信號的layout的快速可擴展動態(tài)分析能力,面對最大規(guī)模的數(shù)字芯片,也可實現(xiàn)硅驗證的精確度和快速周轉(zhuǎn)時間。
PNJ方案相對普通Si MOSFET方案性能上有不少的提升，300V滿載下效率提升將近4%。
與國外競爭產(chǎn)品相比，PNJ推出1700V,3Ω的SiC MOS效率可以和ROHM 1700V,1Ω SiC MOS SCT2H12NZ達到相同水平。
考慮到高壓輔助電源，輸入電流通常較小，導(dǎo)通損耗占比較小，開關(guān)損耗主導(dǎo)。通過優(yōu)化寄生電容，從而獲得更小的開關(guān)損耗，采用較大的Rds(on)即可獲得與國外競品相同的效率.較大的Rds(on),可以采用更小的芯片面積，從而降低SiC生產(chǎn)成本，獲得價格優(yōu)勢。
由于母線電壓通常大于600V,因此輔助電源需要采用2個800V Si MOS構(gòu)成的雙管反激電路，而采用1700V SiC MOS 由于可以耐更高的電壓.
更小的Rds(on),可以采用1個SiC MOS構(gòu)成更為簡單的反激電路實現(xiàn)，從而大幅減小了元器件數(shù)量，設(shè)計更簡單，驅(qū)動設(shè)計更容易，縮短開發(fā)周期，因此可以用于300V 至1000V輸入的反激式拓?fù)渲小?/span>
mPower 電源完整性解決方案進一步完善了西門子的電子物理簽核(Signoff)套件，可全面處理功耗、性能和可靠性分析問題，該套件還包括 Calibre® PERC 軟件、PowerPro™ 軟件、HyperLynx™軟件和 Analog FastSPICE 平臺，設(shè)計人員現(xiàn)在可以使用全套西門子電源完整性設(shè)計流程進行設(shè)計。
設(shè)計公司必須進行模塊和全芯片 EM/IR 分析，以確認(rèn)電網(wǎng)能夠為設(shè)備提供必需的電流，而且保證導(dǎo)線不會過早出現(xiàn)故障。
使用西門子創(chuàng)新的mPower解決方案,設(shè)計人員即擁有了可用于任何規(guī)模的模擬,數(shù)字和混合信號的layout的快速可擴展動態(tài)分析能力,面對最大規(guī)模的數(shù)字芯片,也可實現(xiàn)硅驗證的精確度和快速周轉(zhuǎn)時間。
PNJ方案相對普通Si MOSFET方案性能上有不少的提升，300V滿載下效率提升將近4%。
與國外競爭產(chǎn)品相比，PNJ推出1700V,3Ω的SiC MOS效率可以和ROHM 1700V,1Ω SiC MOS SCT2H12NZ達到相同水平。
考慮到高壓輔助電源，輸入電流通常較小，導(dǎo)通損耗占比較小，開關(guān)損耗主導(dǎo)。通過優(yōu)化寄生電容，從而獲得更小的開關(guān)損耗，采用較大的Rds(on)即可獲得與國外競品相同的效率.較大的Rds(on),可以采用更小的芯片面積，從而降低SiC生產(chǎn)成本，獲得價格優(yōu)勢。
由于母線電壓通常大于600V,因此輔助電源需要采用2個800V Si MOS構(gòu)成的雙管反激電路，而采用1700V SiC MOS 由于可以耐更高的電壓.
更小的Rds(on),可以采用1個SiC MOS構(gòu)成更為簡單的反激電路實現(xiàn)，從而大幅減小了元器件數(shù)量，設(shè)計更簡單，驅(qū)動設(shè)計更容易，縮短開發(fā)周期，因此可以用于300V 至1000V輸入的反激式拓?fù)渲小?/span>
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