功率控制電路主要由水泥電阻R30、R32 和R33、N-MOS 管（IRF3205）、采樣電阻（康銅絲0.1R）、偏置電阻R34、RB1 及電容CG1、CG2、C26、C27、C29 等構(gòu)成。

根據(jù)本設(shè)計(jì)要求，N-MOS 管選擇IRF3205，它具備極低導(dǎo)通阻抗，RDS(on)Max = 8.0 mΩ，持續(xù)漏極電流高達(dá)110 A（TC=25 ℃），漏極功率消耗PD 高達(dá)200 W（TC=25 ℃）。

肖特基二極管D2（SK54）起到保護(hù)N-MOS 管的作用；由于本設(shè)計(jì)要求恒壓高達(dá)20 V，水泥電阻R32 和R33 采用串聯(lián)，以起到限流的作用。

國(guó)民技術(shù)N32G系列通用MCU開(kāi)發(fā)套件，提供從軟件到硬件開(kāi)發(fā)全套全面支持能力，包括低功率（100 W）、中功率（300 W）、高功率（1000 W）等各類評(píng)估板及開(kāi)發(fā)套件，同時(shí)具備開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行客戶研發(fā)過(guò)程的支撐。

在電機(jī)行業(yè)應(yīng)用及關(guān)鍵技術(shù)能力方面，可提供先進(jìn)的自研成熟電機(jī)控制算法庫(kù)，支持包括MRAS、SMO在內(nèi)的多種無(wú)感觀測(cè)算法、高頻注入算法、無(wú)感啟動(dòng)算法、實(shí)現(xiàn)從零速到超高速范圍的全閉環(huán)控制，支持完全獨(dú)立的單電機(jī)、雙電機(jī)、四個(gè)電機(jī)的協(xié)同控制，且融合了自研電機(jī)參數(shù)自識(shí)別算法等多種具有行業(yè)應(yīng)用競(jìng)爭(zhēng)力的算法支撐能力。

單片機(jī)就相當(dāng)于一個(gè)微型的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)集成在一個(gè)芯片上，就是我們所說(shuō)的集成芯片，凡是電子器件很少不用到單片機(jī)的。大部分的單片機(jī)在電子器件內(nèi)部都是主控芯片，比如我們的手機(jī)拍照,圖像的處理,存儲(chǔ),還有紅綠燈的指令,電機(jī)的轉(zhuǎn)速核心都是單片機(jī)。

單片機(jī)選擇了12MHZ晶振，它的時(shí)鐘周期是1／12us，它的一個(gè)機(jī)器周期是12×(1/12)us，也就是1us。不過(guò)一般普通的晶振精度就能達(dá)到百萬(wàn)分之五十。

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