Nexperia計劃持續(xù)擴充SiC二極管產(chǎn)品組合，預計推出總共72款在650V和1200V電壓、6-20A電流范圍下工作的產(chǎn)品。隨著人們的能源意識日漸增強，對于具備出色效率和功率密度的高功率應用的需求日益旺盛。而在這方面，硅將很快達到物理極限。

諸如氮化鎵和碳化硅等寬禁帶半導體現(xiàn)在能夠很好地滿足大批量應用的嚴格要求，為原始設備制造商帶來更高的效率和功率密度，降低系統(tǒng)成本和運營成本。

Nexperia廣泛的SiC二極管產(chǎn)品組合將為市場帶來更多選擇和便利性。

CS83702采用目前最先進的流片工藝；以及自身成熟穩(wěn)定的Boost升壓，ClassD音頻功放電路設計；設置8.7V升壓黃金電壓點；再加上獨創(chuàng)的基于銅管技術(shù)+石墨烯散熱材料的EQA封裝。使得CS83702驅(qū)動4歐姆負載時效率高達90%/Po=10W/RL=4Ω/VBAT=3.7V.

HBM的第二代HBM2正式成為工業(yè)標準。HBM的出現(xiàn)也是為了解決存儲器帶寬問題。與GDDR6不同的是，HBM內(nèi)存一般是由4個或者8個HBM的Die堆疊形成，我們稱之為一個Stack。

鑒于數(shù)據(jù)中心消耗了全球電力需求的1%左右。在此應用中，從主要能源來源到最終負載電壓的轉(zhuǎn)換效率的重要性毋庸置疑。為解決此問題，在較高的直流電電壓及其相應的較低電流下,使用有“中間總線”的電路圖進行配電,并用“負載點”直流轉(zhuǎn)換器提供最終電壓。

過去一直使用共源共柵的中間總線來盡量減小整個裝置各處的損耗，但是當前趨勢是從主交流電源生成48V的電壓，在此時搭配備用電池，然后直接在負載處將48V轉(zhuǎn)換成不到1V.這可以免除對第二個中間總線的需要，但是最終的大型降壓轉(zhuǎn)換率本身就帶來了效率問題，需要有高性能的半導體開關(guān)。

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