高性能的ISL8201M低傳導(dǎo)及切換損耗將確保穩(wěn)壓器模塊
發(fā)布時(shí)間:2021/12/5 23:35:09 訪問次數(shù):317
Vishay Siliconix SiR440DP 將在同步降壓轉(zhuǎn)換器以及二級(jí)同步整流及 OR-ing 應(yīng)用中用作低端 MOSFET。其低傳導(dǎo)及切換損耗將確保穩(wěn)壓器模塊 (VRM)、服務(wù)器及使用負(fù)載點(diǎn) (POL) 功率轉(zhuǎn)換的諸多系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)功效更高且更節(jié)省空間的設(shè)計(jì)。
20V SiR866DP 和 SiR890DP n 通道功率 MOSFET。這些器件在 4.5V 時(shí)分別提供 2.5m的導(dǎo)通電阻，在 10V 時(shí)為 1.9m; 及 2.9m，典型柵極電荷為 35.3nC 及 20nC。
這些器件無鉛 (Pb)，無鹵素，并且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，因此符合有關(guān)消除有害物質(zhì)的國(guó)際法規(guī)要求。
Quad-Core AMD Opteron處理器(8346/8384)系列采用45-nm技術(shù)和浸沒式光刻技術(shù)，能實(shí)現(xiàn)高35%的性能，空閑時(shí)功耗降低35%，并具有優(yōu)越的虛擬化性能。“Shanghai” CPU支持改進(jìn)的DDR2-800存儲(chǔ)器和6-Mbyte 3級(jí)緩存，從而有助于加速存儲(chǔ)密集的應(yīng)用。
快速虛擬化索引,標(biāo)簽轉(zhuǎn)換后備緩沖器,HyperTransport Technology3.02等特性。
處理器第一個(gè)系列為75-W ACP，在2.3——2.7 GHz工作。增強(qiáng)的HE（55-W）和SE（105-W）處理器計(jì)劃于09年第一季度生產(chǎn)。
與之前的版本采用相同封裝所有這三款新型功率 MOSFET 均采用 PowerPAK SO-8 封裝,更低的導(dǎo)通電阻及柵極電荷意味著更低的傳導(dǎo)損耗及切換損耗。
ISL8201M是高效率、低噪聲、高集成度的DC/DC電源解決方案，在熱增強(qiáng)的QFN封裝內(nèi)集成了PWM控制器、MOSFET驅(qū)動(dòng)器、功率MOSFET、電感器，以及優(yōu)化的補(bǔ)償電路。
高集成度、高性能的ISL8201M采用小尺寸15mm x 15mm x 3.5mm QFN封裝。
(素材來源：eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）
Vishay Siliconix SiR440DP 將在同步降壓轉(zhuǎn)換器以及二級(jí)同步整流及 OR-ing 應(yīng)用中用作低端 MOSFET。其低傳導(dǎo)及切換損耗將確保穩(wěn)壓器模塊 (VRM)、服務(wù)器及使用負(fù)載點(diǎn) (POL) 功率轉(zhuǎn)換的諸多系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)功效更高且更節(jié)省空間的設(shè)計(jì)。
20V SiR866DP 和 SiR890DP n 通道功率 MOSFET。這些器件在 4.5V 時(shí)分別提供 2.5m的導(dǎo)通電阻，在 10V 時(shí)為 1.9m; 及 2.9m，典型柵極電荷為 35.3nC 及 20nC。
這些器件無鉛 (Pb)，無鹵素，并且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，因此符合有關(guān)消除有害物質(zhì)的國(guó)際法規(guī)要求。
Quad-Core AMD Opteron處理器(8346/8384)系列采用45-nm技術(shù)和浸沒式光刻技術(shù)，能實(shí)現(xiàn)高35%的性能，空閑時(shí)功耗降低35%，并具有優(yōu)越的虛擬化性能�！癝hanghai” CPU支持改進(jìn)的DDR2-800存儲(chǔ)器和6-Mbyte 3級(jí)緩存，從而有助于加速存儲(chǔ)密集的應(yīng)用。
快速虛擬化索引,標(biāo)簽轉(zhuǎn)換后備緩沖器,HyperTransport Technology3.02等特性。
處理器第一個(gè)系列為75-W ACP，在2.3——2.7 GHz工作。增強(qiáng)的HE（55-W）和SE（105-W）處理器計(jì)劃于09年第一季度生產(chǎn)。
與之前的版本采用相同封裝所有這三款新型功率 MOSFET 均采用 PowerPAK SO-8 封裝,更低的導(dǎo)通電阻及柵極電荷意味著更低的傳導(dǎo)損耗及切換損耗。
ISL8201M是高效率、低噪聲、高集成度的DC/DC電源解決方案，在熱增強(qiáng)的QFN封裝內(nèi)集成了PWM控制器、MOSFET驅(qū)動(dòng)器、功率MOSFET、電感器，以及優(yōu)化的補(bǔ)償電路。
高集成度、高性能的ISL8201M采用小尺寸15mm x 15mm x 3.5mm QFN封裝。
(素材來源：eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）
相關(guān)技術(shù)資料- 7-18STGWA30IH160DF2 IGBT應(yīng)用前景簡(jiǎn)述
- 7-18最新一代低功耗內(nèi)存LPDDR6標(biāo)JESD209-6
- 7-18EMI CISPR25 CLASS 5標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用探究
- 7-18Android 和Linux OS優(yōu)勢(shì)特征
- 7-18汽車混合信號(hào)微控制器MSPM0G351X-Q1
- 7-184A，6A 3KVRMS雙通道隔離的閘門驅(qū)動(dòng)器
- 7-17第二代儲(chǔ)能電芯加速替代280Ah電芯應(yīng)用詳情
- 7-17業(yè)界首款超以太網(wǎng)和 UALink IP 解決方案
- 7-17NVLink 和 NVSwitch 關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)探究
- 7-17“Scale Up + Scale Out” 混合架構(gòu)應(yīng)用詳解
- 7-17高速速度比（2.5MHz）RRIO操作放大器簡(jiǎn)述
- 7-174-20MA信號(hào)調(diào)節(jié)器技術(shù)參數(shù)設(shè)計(jì)
熱門點(diǎn)擊
- 集成運(yùn)放LM324設(shè)計(jì)的電壓電流放大模塊與采
- 4個(gè)Arm®Cortex®
- 小數(shù)N分頻鎖相環(huán)(PLL)頻率合成器即時(shí)響應(yīng)
- AD9244支持采樣頻率200MHz音視頻接
- 高性能全功能的GPU算力支撐有利于特定工作負(fù)
- delta-sigma分?jǐn)?shù)N鎖相環(huán)路結(jié)構(gòu)出現(xiàn)
- 高性能的ISL8201M低傳導(dǎo)及切換損耗將確
- Snapdragon芯片還將使移動(dòng)計(jì)算終端具
- 四個(gè)輸入管腳控制CCFL背光顯示的亮度高電壓
- 功率因數(shù)校正(PFC)功能的100W USB
推薦技術(shù)資料
- 聲道前級(jí)設(shè)計(jì)特點(diǎn)
- 與通常的Hi-Fi前級(jí)不同，EP9307-CRZ這臺(tái)分... [詳細(xì)]
- STGWA30IH160DF2
- 最新一代低功耗內(nèi)存LPDDR6
- EMI CISPR25 CLA
- Android 和Linux
- 汽車混合信號(hào)微控制器̴
- 4A，6A 3KVRMS雙通道隔離的閘門驅(qū)動(dòng)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
