快速恢復（FRFETò）版本適用于軟開關拓撲結(jié)構(gòu)，如移相全橋（PSFB）和LLC。它們的優(yōu)勢是快速體二極管，并提供降低的Qrr和Trr。

強固的二極管耐用性確保更高的系統(tǒng)可靠性。內(nèi)置齊納二極管的NTP125N60S5FZ 的RDS(on)為125 mW，采用TO-220封裝，而NTMT061N60S5F 的RDS(on)為61 mW，采用Power88封裝.損耗最低的器件是NTHL019N60S5F,RDS(on)僅19mW,采用TO-247封裝。

在不同的負載和溫度條件下,Saft LS33600電池在17Ah額定容量基礎上的容量降額情況。

待機模式的電流消耗為 5μA 至 100μA。主要耗電項為計量、微控制器和保護電路的靜態(tài)電流 (IQ)。雖然其絕對值非常小，但通常是影響儀表壽命的主要因素。處于待機模式時，連接的任一直流/直流轉(zhuǎn)換器的 IQ 均應處于納安級，電源緩沖器的泄漏值應處于低水平，從而提高效率。

中間模式的電流消耗為2mA至10mA.通常情況下,這類負載來自于 RX 階段的模擬前端。

工作模式下的電流消耗最高。在工作模式下，負載通常來自于 TX 階段的驅(qū)動閥和模擬前端，需要 20mA 至幾百毫安的電流。直接從 LiSOCl2 電池中獲取電流會使電池容量嚴重降額。

Ramtron的V系列F-RAM產(chǎn)品采用Ramtron和德州儀器共同開發(fā)的公認的130nm CMOS生產(chǎn)工藝制造，包含各種并行、串行I2C和SPI存儲器。

先進的制造工藝能夠提高產(chǎn)品的技術(shù)規(guī)格及擴展其功能集。Ramtron已計劃在2008年年底前推出其它V系列產(chǎn)品，具有I2C和并行接口。所有串行F-RAM V系列產(chǎn)品均具有可選器件特性，包括獨特的序列號和系統(tǒng)重置。

在工作溫度為 +20°C 時,200mA 負載電流會導致容量降額 42%。因此，絕不可直接使用電池對負載供電.只有使用低泄漏的電源緩沖器,才可以將峰值電流限制在 10mA 以下。

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