65nm技術(shù)CMOS工藝的單芯片射頻發(fā)射器件,能夠全面滿足2G/3G/LTE各項(xiàng)射頻功能，其配置的DigRF數(shù)字接口能夠與基帶芯片直接連接,以充分達(dá)到LTE網(wǎng)絡(luò)所要求的最高150兆比特每秒的網(wǎng)絡(luò)傳輸速率。

與此同時(shí)，英飛凌在其久負(fù)盛名的3G射頻發(fā)射芯片系列——SMARTi UE中推出了第三代新產(chǎn)品：SMARTi UEmicro。

SMARTi UEmicro為超低端3G終端進(jìn)行了專門的產(chǎn)品優(yōu)化，采用該器件后，雙波段WCAMA/EDGE終端設(shè)備的電子射頻器件成本可以降低到6.50美元之下。這與目前市場(chǎng)上現(xiàn)有方案相比，成本上有超過(guò)40%的下降。

EP-SMA 27 GHz組件具有與SMA-6GHz、12GHz和18GHz解決方案相同的占板面積，這意味著通常不需要改變現(xiàn)有布局，即可將頻率擴(kuò)展至27GHz或?qū)崿F(xiàn)更高的SMA性能。

該芯片如此廣泛的射頻波段支持能力，使其能夠極好地與全球HSPA/LTE網(wǎng)絡(luò)無(wú)縫配合。

SMARTi LU所采用的符合MIPI DigRF v4標(biāo)準(zhǔn)的數(shù)字基帶芯片接口，為手機(jī)系統(tǒng)設(shè)計(jì)“全數(shù)字化”樹(shù)立了一個(gè)新的里程碑，使得基帶芯片設(shè)計(jì)向進(jìn)一步集成化、向32nm或更精密半導(dǎo)體技術(shù)前進(jìn)提供了保障。

插件大電流電感產(chǎn)品線添加了WE-HCFT 2504， 一款總高度非常低的型號(hào)。該款使用了 MnZn 磁芯的扁平線電感只有 4 mm 高，這在標(biāo)準(zhǔn)件市場(chǎng)上是獨(dú)一無(wú)二的。它的載流能力最高可達(dá) 33 A，是 HCFT 產(chǎn)品系列中功率密度和效率最高的產(chǎn)品之一。

采用經(jīng)過(guò)優(yōu)化的導(dǎo)線和磁芯設(shè)計(jì)，該電感具有非常低的直流和交流損耗。此外，WE-HCFT 2504在-40℃至+125℃的整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)都具有非常出色的溫度性能。

WE-HCFT 2504的電感值有1μH、2.2μH、4.7μH、6.8μH和10μH。