高壓信號(hào)引出裝置與壓力釜通過(guò)螺紋的相對(duì)轉(zhuǎn)動(dòng)進(jìn)行連接
發(fā)布時(shí)間:2021/12/23 12:45:30 訪問(wèn)次數(shù):219
螺釘安裝式高電壓圓盤(pán)電容器,這些器件為設(shè)計(jì)人員提供了多種直徑和電容值選擇,其額定電壓為 10kVDC~40kVDC。
憑借低交流與直流系數(shù),以及可忽略的壓電/電致伸縮效應(yīng),Vishay Cera-Mite 715CxxKT 系列可專(zhuān)用于具有高峰值電流及高重復(fù)率的電路。
這些新器件專(zhuān)為以下設(shè)備中的高頻耦合與退耦、激光激發(fā)及快速重復(fù)脈沖電路而進(jìn)行了優(yōu)化:需要低損失及高介電常數(shù)的高壓電源、CO2 激光設(shè)備、X射線設(shè)備及焊接設(shè)備。
容易發(fā)生絕緣電線頭脫落和軋斷電線的現(xiàn)象。高壓信號(hào)引出裝置中有多個(gè)焊線柱,分別通過(guò)絕緣線與變壓器、絕緣骨架等相連。
高壓信號(hào)引出裝置與壓力釜通過(guò)螺紋的相對(duì)轉(zhuǎn)動(dòng)進(jìn)行連接,使得焊接在焊線柱上的絕緣線發(fā)生扭轉(zhuǎn),容易導(dǎo)致焊線頭扭斷脫落;絕緣線在連接前留有一定的富余量,在連接過(guò)程中,絕緣線容易被螺紋軋斷。
在儀器生產(chǎn)調(diào)試過(guò)程中,由于搬運(yùn)、振動(dòng)或人為因素容易造成陶瓷管破損或銀焊處的損壞,造成漏氣,導(dǎo)致整個(gè)高壓信號(hào)引出裝置報(bào)廢。

GreenChip產(chǎn)品系列讓電源制造商能以良好的性?xún)r(jià)比更輕松地達(dá)到能效標(biāo)準(zhǔn),GreenChip系列專(zhuān)為節(jié)能設(shè)計(jì),自誕生之日起,就引領(lǐng)著個(gè)人計(jì)算機(jī)能效的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
恩智浦最新的MOSFET器件具有優(yōu)異的性能,確保設(shè)計(jì)的電源達(dá)到超高的效率。
工藝進(jìn)入130nm以下節(jié)點(diǎn)后,單位面積上的功耗密度急劇上升,已經(jīng)達(dá)到封裝、散熱以及底層設(shè)備所能支持的極限。隨著工藝進(jìn)一步達(dá)到90nm以下,漏電流呈指數(shù)級(jí)增加。
此外,該芯片還采用低/零位電壓開(kāi)關(guān),以實(shí)現(xiàn)最低開(kāi)關(guān)損耗;通過(guò)退磁檢測(cè)實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)諧振運(yùn)行(臨界傳導(dǎo)模式),達(dá)到最大效率。
(素材來(lái)源:eccn和21ic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
螺釘安裝式高電壓圓盤(pán)電容器,這些器件為設(shè)計(jì)人員提供了多種直徑和電容值選擇,其額定電壓為 10kVDC~40kVDC。
憑借低交流與直流系數(shù),以及可忽略的壓電/電致伸縮效應(yīng),Vishay Cera-Mite 715CxxKT 系列可專(zhuān)用于具有高峰值電流及高重復(fù)率的電路。
這些新器件專(zhuān)為以下設(shè)備中的高頻耦合與退耦、激光激發(fā)及快速重復(fù)脈沖電路而進(jìn)行了優(yōu)化:需要低損失及高介電常數(shù)的高壓電源、CO2 激光設(shè)備、X射線設(shè)備及焊接設(shè)備。
容易發(fā)生絕緣電線頭脫落和軋斷電線的現(xiàn)象。高壓信號(hào)引出裝置中有多個(gè)焊線柱,分別通過(guò)絕緣線與變壓器、絕緣骨架等相連。
高壓信號(hào)引出裝置與壓力釜通過(guò)螺紋的相對(duì)轉(zhuǎn)動(dòng)進(jìn)行連接,使得焊接在焊線柱上的絕緣線發(fā)生扭轉(zhuǎn),容易導(dǎo)致焊線頭扭斷脫落;絕緣線在連接前留有一定的富余量,在連接過(guò)程中,絕緣線容易被螺紋軋斷。
在儀器生產(chǎn)調(diào)試過(guò)程中,由于搬運(yùn)、振動(dòng)或人為因素容易造成陶瓷管破損或銀焊處的損壞,造成漏氣,導(dǎo)致整個(gè)高壓信號(hào)引出裝置報(bào)廢。

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恩智浦最新的MOSFET器件具有優(yōu)異的性能,確保設(shè)計(jì)的電源達(dá)到超高的效率。
工藝進(jìn)入130nm以下節(jié)點(diǎn)后,單位面積上的功耗密度急劇上升,已經(jīng)達(dá)到封裝、散熱以及底層設(shè)備所能支持的極限。隨著工藝進(jìn)一步達(dá)到90nm以下,漏電流呈指數(shù)級(jí)增加。
此外,該芯片還采用低/零位電壓開(kāi)關(guān),以實(shí)現(xiàn)最低開(kāi)關(guān)損耗;通過(guò)退磁檢測(cè)實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)諧振運(yùn)行(臨界傳導(dǎo)模式),達(dá)到最大效率。
(素材來(lái)源:eccn和21ic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
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