39dBm連續(xù)波信號(hào)150毫米和200毫米SiC晶體生長(zhǎng)技術(shù)
發(fā)布時(shí)間:2022/1/14 12:47:12 訪問(wèn)次數(shù):845
ADRF5345是高度線性單刀四擲(SP4T)開(kāi)關(guān),采用硅工藝技術(shù)制造,工作頻率從1.8GHz到3.8GHz,典型的插入損耗小于0.4dB,輸入IP3典型為84dBm.
RF輸入功率處理能力39dBm連續(xù)波信號(hào),而對(duì)LTE信號(hào)平均功率為39dBm,峰值功率為49dBm.
ADRF5345集成了負(fù)電壓發(fā)生器(NVG)和單個(gè)正電源5V(VDD)工作,作用于VDD引腳,消耗2mA電流.器件采用低壓互補(bǔ)金屬-氧化物半導(dǎo)體(LVCMOS)/低壓晶體管-晶體管邏輯(LVTTL)兼容控制.
4mmx4mm 22端RoHS兼容LGA封裝,工作溫度−40°C到 +105°C.主要用在5G傾斜天線,無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)備,軍用和高可靠性應(yīng)用,測(cè)試測(cè)量以及PIN二極管替代.
為了增強(qiáng)碳化硅的供應(yīng)能力，前段時(shí)間安森美完成了對(duì)碳化硅晶錠公司GTAT的收購(gòu)。
收購(gòu)加強(qiáng)了安森美對(duì)顛覆性、高增長(zhǎng)技術(shù)進(jìn)行重大投資以推動(dòng)創(chuàng)新和領(lǐng)先地位的承諾，包括對(duì)SiC生態(tài)系統(tǒng)的投資。安森美計(jì)劃投資擴(kuò)大GTAT的生產(chǎn)設(shè)施，支持研發(fā)工作，以推進(jìn)150毫米和200毫米SiC晶體生長(zhǎng)技術(shù)，同時(shí)還投資于更廣泛的SiC供應(yīng)鏈，包括晶圓廠產(chǎn)能和封裝。
壓鑄模塊的功率密度更高、雜散電感更低，尤其是碳化硅可以接受的工作溫度更高，可達(dá)200℃甚至以上。同樣的系統(tǒng)價(jià)錢(qián)，用壓鑄模塊可以做到更大潛力和差異化。
工作溫度–40°C 到 +125°C,采用48引腳TQFP封裝.主要用在實(shí)驗(yàn)室和現(xiàn)場(chǎng)儀表,分光計(jì),模擬輸出模塊,電池測(cè)試,半導(dǎo)體測(cè)試,任意波形發(fā)生器(AWG),MRI,X射線系統(tǒng),專(zhuān)業(yè)音頻放大器(機(jī)架型).
與此同時(shí)，壓鑄模塊的生命周期也比凝膠模塊較長(zhǎng)。
(素材來(lái)源：轉(zhuǎn)載自網(wǎng)絡(luò),如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除,特別感謝）
ADRF5345是高度線性單刀四擲(SP4T)開(kāi)關(guān),采用硅工藝技術(shù)制造,工作頻率從1.8GHz到3.8GHz,典型的插入損耗小于0.4dB,輸入IP3典型為84dBm.
RF輸入功率處理能力39dBm連續(xù)波信號(hào),而對(duì)LTE信號(hào)平均功率為39dBm,峰值功率為49dBm.
ADRF5345集成了負(fù)電壓發(fā)生器(NVG)和單個(gè)正電源5V(VDD)工作,作用于VDD引腳,消耗2mA電流.器件采用低壓互補(bǔ)金屬-氧化物半導(dǎo)體(LVCMOS)/低壓晶體管-晶體管邏輯(LVTTL)兼容控制.
4mmx4mm 22端RoHS兼容LGA封裝,工作溫度−40°C到 +105°C.主要用在5G傾斜天線,無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)備,軍用和高可靠性應(yīng)用,測(cè)試測(cè)量以及PIN二極管替代.
為了增強(qiáng)碳化硅的供應(yīng)能力，前段時(shí)間安森美完成了對(duì)碳化硅晶錠公司GTAT的收購(gòu)。
收購(gòu)加強(qiáng)了安森美對(duì)顛覆性、高增長(zhǎng)技術(shù)進(jìn)行重大投資以推動(dòng)創(chuàng)新和領(lǐng)先地位的承諾，包括對(duì)SiC生態(tài)系統(tǒng)的投資。安森美計(jì)劃投資擴(kuò)大GTAT的生產(chǎn)設(shè)施，支持研發(fā)工作，以推進(jìn)150毫米和200毫米SiC晶體生長(zhǎng)技術(shù)，同時(shí)還投資于更廣泛的SiC供應(yīng)鏈，包括晶圓廠產(chǎn)能和封裝。
壓鑄模塊的功率密度更高、雜散電感更低，尤其是碳化硅可以接受的工作溫度更高，可達(dá)200℃甚至以上。同樣的系統(tǒng)價(jià)錢(qián)，用壓鑄模塊可以做到更大潛力和差異化。
工作溫度–40°C 到 +125°C,采用48引腳TQFP封裝.主要用在實(shí)驗(yàn)室和現(xiàn)場(chǎng)儀表,分光計(jì),模擬輸出模塊,電池測(cè)試,半導(dǎo)體測(cè)試,任意波形發(fā)生器(AWG),MRI,X射線系統(tǒng),專(zhuān)業(yè)音頻放大器(機(jī)架型).
與此同時(shí)，壓鑄模塊的生命周期也比凝膠模塊較長(zhǎng)。
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